[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成图案化的第一金属层，所述第一金属层包括源极；

在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成图案化的半导体层，所述半导体层对应于所述源极的部分电连接于所述源极；

在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括触控信号线、栅极和漏极，所述漏极电连接于所述半导体对应于所述漏极的部分；

在所述图案化的第二金属层上形成平坦层；

在所述平坦层上形成图案化的公共电极层，所述图案化的公共电极层包括触控电极，所述触控电极电连接所述触控信号线；

在所述图案化的公共电极层上形成保护层；

在所述保护层上形成图案化的像素电极层，所述图案化的像素电极层包括像素电极，所述像素电极电连接于所述漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层包括数据线和遮光层，所述数据线与所述源极相连并与所述源极一体成型；

所述数据线、源极和遮光层采用同一光罩处理成型。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二金属层还包括栅线，所述栅线与所述栅极相连并与所述栅极一体成型，所述栅线的延伸方向平行于所述触控信号线的延伸方向；

所述触控信号线、栅极、栅线和漏极采用同一光罩处理成型。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层，包括以下步骤：

在所述图案化的半导体层上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层进行图案化处理，形成裸露出所述半导体层对应于漏极的部分的开口。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述漏极形成在所述开口内并电连接所述半导体层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层，包括以下步骤：

在所述图案化的第一金属层上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成裸露出所述源极的第一过孔。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半导体对应于所述源极的部分通过所述第一过孔与所述源极电连接。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，设置在所述基板上，所述第一金属层包括源极；

第一绝缘层，覆盖在所述第一金属层上，所述第一绝缘层包括对应于所述源极的第一过孔；

半导体层，设置在所述第一绝缘层上，所述半导体层对应所述源极的部分通过所述第一过孔电连接于所述源极；

第二绝缘层，覆盖在所述半导体层上，所述第二绝缘层包括裸露所述半导体层对应于漏极的部分的开口；

第二金属层，设置在所述第二绝缘层上，所述第二金属层包括触控信号线、栅极和所述漏极，所述漏极设置在所述开口内并电连接于所述半导体层；

平坦层，覆盖在所述第二金属层上，所述平坦层包括裸露出于所述触控信号线的第二过孔；

公共电极层，设置在所述平坦层上，所述公共电极层包括触控电极，所述触控电极通过所述第二过孔电连接于所述触控信号线；

保护层，覆盖所述公共电极层，所述保护层包括对应于所述漏极的第三过孔，所述第三过孔延伸入所述平坦层并裸露所述漏极；以及

所述像素电极层，设置在所述保护层上，所述像素电极层包括像素电极，所述像素电极通过第三过孔电连接于所述漏极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括数据线和遮光层，所述数据线与所述源极相连并与所述源极一体成型，所述遮光层位于所述半导体的沟道区的下方。

10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括栅线，所述栅线与所述栅极相连并与所述栅极一体成型，所述触控信号线的延伸方向平行于所述栅线的延伸方向。