[发明专利]一种三工位碳化硅籽晶粘接炉在审
| 申请号： | 201910747240.0 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110396718A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李留臣;周洁;周正星;王建康 | 申请（专利权）人： | 江苏星特亮科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 刘鑫 |
| 地址： | 215627 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三工位碳化硅籽晶粘接炉，包括具有中空腔体的主体、设于中空腔体中的托盘、三个设于托盘上表面的用于承载工件的下加热盘、可上下活动的设于中空腔体中的且位于托盘上方的压盘、三个与下加热盘一一对应的设于压盘下表面的上加热盘、连接在主体上的抽真空机构、用于驱动压盘上下运动的驱动机构；压盘的顶端与驱动机构的输出端之间球面活动连接，压盘用于将压力均匀的传递至每个上加热盘上；上加热盘的上端与压盘之间球面活动连接，上加热盘用于均匀压紧工件的上表面。本发明一种三工位碳化硅籽晶粘接炉，一次对三个坩埚盖进行籽晶粘接，粘接效率较高，同时还能够保证三个坩埚盖受力均匀，每个坩埚盖上的籽晶表面受力均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 压盘 粘接 上加热盘 碳化硅籽晶 中空腔体 三工位 坩埚盖 球面活动连接 托盘 驱动机构 受力均匀 下加热盘 抽真空机构 托盘上表面 承载工件 上下活动 上下运动 压紧工件 压力均匀 籽晶表面 上表面 输出端 下表面 上端 籽晶 驱动 传递 保证 | ||
【主权项】：
1.一种三工位籽晶粘接炉，其特征在于：包括具有中空腔体的主体、设于所述中空腔体中的托盘、三个设于所述托盘上表面的用于承载工件的下加热盘、可上下活动的设于所述中空腔体中的且位于所述托盘上方的压盘、三个与所述下加热盘一一对应的设于所述压盘下表面的上加热盘、连接在所述主体上的用于为所述中空腔体抽真空的抽真空机构、连接在所述压盘上的用于驱动所述压盘上下运动的驱动机构；所述压盘的顶端与所述驱动机构的输出端之间球面活动连接，所述压盘，用于将压力均匀的传递至每个所述上加热盘上；所述上加热盘的上端与所述压盘之间球面活动连接，所述上加热盘，用于均匀压紧所述工件的上表面。
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- 载气辅助PVT法制备宽禁带半导体单晶材料的装置及方法，装置包括：坩埚(1)，其是由坩埚壁(6)组成的封闭容器，坩埚壁(6)包括透气部分与不透气部分，其中，坩埚(1)内的底部设置有源材料区(7)，用于放置源材料；石墨加热体(2)，包围坩埚(1)，并与坩埚(1)底部相接触，用于加热坩埚(1)以使得源材料升华，得到气相源材料；进气管道(3)与排气管道(4)，用于控制坩埚(1)内的饱和蒸气压在预设范围内；籽晶(5)，设置在坩埚(1)内的顶部，当坩埚(1)内的饱和蒸气压在预设范围内时，气相源材料在籽晶(5)上生长单晶体。通过载气输运气相源材料和掺杂元素，抑制了单晶体生长过程中的二次形核，实现了材料掺杂。
- 一种调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置-201711024669.4
- 三重野文健 - 上海新昇半导体科技有限公司
- 2017-10-27 - 2019-05-07 - C30B23/00
- 本发明提供一种可调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置，其中生长方法包括以下步骤：提供一坩埚；将SiC源放入坩埚中；将SiC籽晶固定在坩埚上；加热坩埚在SiC籽晶与SiC源之间建立一个主要热梯度，促使SiC源升华的气体向SiC籽晶传输以在SiC籽晶上生长SiC晶体；通入掺杂气体，在生长SiC晶体时对SiC晶体进行掺杂；采用光波监测系统监测正在生长的SiC晶体的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的掺杂气体的流量；固定SiC籽晶时，使SiC籽晶的宏观生长表面相对于主要热梯度形成一锐角夹角。采用本发明方法及装置可以实现对SiC晶体掺杂的精确控制，获得高质量、低缺陷、掺杂浓度精确的SiC晶体。
- 基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法-201910154903.8
- 刘乃鑫;魏同波;魏学成;王军喜;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2019-02-28 - 2019-04-23 - C30B23/00
- 一种基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法，通过设置感应线圈的分布构造温度分布场，感应线圈的分布包括感应线圈的匝数、感应线圈的分布疏密、感应线圈距离坩埚的远近、多段式分布线圈等形式，形成温度相对高低的不同温度分布场，通过改变坩埚与该温度分布场的相对位置关系控制晶体不同制备阶段中原料区和结晶区的温度分布以及温度梯度，利用温度分布场的设置实现了温度分布和温度梯度的动态、精确可控，有效抑制了晶体生长过程中的二次形核，并且具体设置对应不同晶体所需的生长条件可以适应性调整，具有广泛的适用性。多段式设置相比于现有的单段式线圈来说，非高温区通过降低输入功率，增强了加热效果。
- 一种氟化铝晶体颗粒的制备方法和应用-201811552222.9
- 彭程;孙静;石志霞;张恒;张碧田;段华英 - 有研工程技术研究院有限公司
- 2018-12-19 - 2019-04-05 - C30B23/00
- 本发明公开了属于化工材料制备技术领域的一种氟化铝晶体颗粒的制备方法和应用。本发明将高纯无水氟化铝粉体置于坩埚中，密封坩埚；利用真空加热炉对所述密封坩埚真空加热，所述密封坩埚内置有高纯无水氟化铝粉体的部分位于炉体加热区内，密封坩埚顶部位于炉体加热区外，并利用隔热材料将密封坩埚位于炉体加热区内、外的两部分隔开；真空加热过程中，密封坩埚内高纯无水氟化铝粉体升华，密封坩埚顶部的氟化铝蒸汽冷凝结晶，同时氟化铝晶体颗粒不断生长，冷却后制得所述氟化铝晶体颗粒。本发明制得的氟化铝晶体颗粒为白色晶体，颜色均一，可用作光学镀膜材料使用，且镀膜过程速率、真空度稳定，无喷料现象。
- 一种用于高质量氮化铝晶体生长的原料预处理方法-201910064968.3
- 郝霄鹏;王国栋;张雷;吴拥中;邵永亮 - 山东大学
- 2019-01-23 - 2019-04-05 - C30B23/00
- 一种用于高质量氮化铝晶体生长的原料预处理方法，包括以下步骤：(1)将AlN粉末原料置于烧料坩埚内，烧料坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(2)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在氮气氛围下烧结，降至室温，得到AlN原料烧结体；(3)粉碎成AlN粉末颗粒；(4)将AlN粉末颗粒置于生长坩埚内，生长坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(5)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在氮气氛围下烧结，降至室温，得到AlN高纯多晶原料烧结体。该方法有效降低AlN原料中的杂质，在增加AlN原料粒径的同时，使AlN颗粒之间存在大的间隙，提高了AlN的气相传输能力，获得了缩聚均匀的AlN烧结体，满足高质量AlN晶体生长的原料要求。
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