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[发明专利]一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法-CN202111482401.1有效
发明人：陈素春;徐良;余雅俊;占俊杰;孟秀清;阳明益 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。
一种 sic 衬底形成 inn 薄膜方法

[发明专利]一种从蓝宝石切割固废中回收氧化铝的方法-CN202111482409.8在审
发明人：占俊杰;徐良;余雅俊;陈素春;孟秀清;阳明益;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种从蓝宝石切割固废中回收氧化铝的方法，包括：使用油污去除剂去除蓝宝石切割固废表面的油污，再使用清洗剂清洗并烘干；烘干后，使蓝宝石切割固废中的镍与CO气体反应生成四羰基镍，利用有机溶剂去除四羰基镍，再使用清洗剂清洗并烘干；以及在含氧环境下使蓝宝石切割固废中的金刚石燃烧，从而去除金刚石。该方法通过使用有机溶剂去除油污、利用CO去除镍以及通过燃烧去除金刚石，实现了高纯度氧化铝的回收，减少了环境污染，降低了企业成本。
一种蓝宝石切割固废中回收氧化铝方法

[发明专利]一种在蓝宝石衬底铜抛后清洗的方法-CN202111518270.8在审
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;阳明益;童雪峰 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种在蓝宝石衬底铜抛后清洗的方法，该方法采用磺酸微腐蚀、纳米除油乳化剂乳化和超声波清洗相结合，有效清除了蓝宝石衬底上的黏附颗粒、有机物、金属污染物，以及特别是公认的难以清除的顽强氧化物，从而提高了蓝宝石衬底的稳定性，为蓝宝石衬底下一步工艺奠定了基础。
一种蓝宝石衬底铜抛后清洗方法

[发明专利]一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底-CN202111554696.9在审
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春;孟秀清;阳明益;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备氮化物单晶薄膜的碳化硅复合衬底，该复合衬底通过在碳化硅衬底表面设置上表面平整的氮化硅层，很好地整平了碳化硅衬底凹凸不平的表面，使得衬底表面变得光滑平整，有利于后期外延生长出高质量的氮化单晶薄膜。此外，本发明的碳化硅衬底无需减薄，厚度较大，有利于后期工艺的加工，从而进一步提升整个成品的质量，提高整个生产过程的良率，减少废品率，节约生产成本。
一种用于制备氮化物薄膜碳化硅复合衬底

[发明专利]一种蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备-CN201910796178.4有效
发明人：徐良;朱志平;蓝文安;支俊华;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备，该制造方法在晶片退火之后直接进行甩蜡烘烤、滴蜡测量和滴蜡抛光步骤。滴蜡抛光步骤包括：在烘烤后的蜡膜的表面晶片的正中心一次性滴下预先测定的蜡料；将滴蜡后的晶片的蜡膜面与带有热度的陶瓷盘平面相贴，使蜡滴被挤压形成圆形蜡饼，并相应地在晶片的与蜡膜面相对的背面顶起一与蜡饼形状一致的圆台；对产生圆台的晶片的背面进行抛光，使晶片的背面中间凹陷且圆台的外缘与晶背面的其余部分平滑过渡，并成为中间凹陷底部的圆面。滴蜡设备包括吸盘、点胶阀、储蜡桶、导蜡管和数显调压阀。本发明的蓝宝石衬底的制造方法和滴蜡设备，省去了晶片弯曲度分选工作，并能大幅提升衬底的产品合格率。
一种蓝宝石衬底制造方法设备

[发明专利]蓝宝石衬底切割片再生加工方法-CN201910736540.9有效
发明人：徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供的一种蓝宝石衬底切割片再生加工方法，涉及半导体技术领域，步骤如下：a、选取待加工的衬底切割片；b、将衬底切割片的单面固定于万向平台上；c、通过研磨砂轮对所述衬底切割片的待加工面上具有厚度差异、表面晶体轴向偏轴的部位进行研磨修整。在上述技术方案中，搭配万向平台和研磨砂轮，可以修复切割衬底时由于金刚石线端跳、定角时角度定错等问题而造成的厚度差异过大、表面晶体轴向偏轴的缺陷，使缺陷衬底切割片经过研磨修整后能够重复使用。
蓝宝石衬底切割再生加工方法

[实用新型]一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返抛装置-CN201921405041.3有效
发明人：徐良;占俊杰;阳明益;蓝文安;刘建哲;陈吉超;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返抛装置，包括抛光机主体、抛光机头、机台盘、抛光垫和用于吸附返抛晶片的晶片载盘，其中机台盘和抛光机头均与抛光机主体连接，晶片载盘与抛光机头连接，晶片载盘位于机台盘的上方，且晶片载盘的晶片吸附面与上表面相对，抛光垫设置于机台盘的上表面。本实用新型的蓝宝石单面抛光厚度不良返抛装置，能达成返抛晶片对背面粗糙度的均匀性要求，并能提升晶片表面厚度不良的返修良率，经检测返修良率可达95％以上。
一种蓝宝石单面抛光厚度不良装置

[实用新型]一种下蜡底板以及晶片下蜡装置-CN201921665449.4有效
发明人：徐良;朱志平;蓝文安;支俊华;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种下蜡底板以及晶片下蜡装置，涉及晶片制作技术领域，包括：底板本体；转动机构，转动机构设置在底板本体的顶面，以能够使附有晶片的陶瓷盘滚动放置在底板本体的顶面；止挡机构，止挡机构设置在底板本体的出料侧，以能够限制陶瓷盘朝向出料侧的方向运动。在上述技术方案中，该下蜡底板可以单独使用以辅助工作人员手动取下陶瓷盘上的晶片，陶瓷盘置于转动机构上，通过转动机构的滚动作用，能够使陶瓷盘在底板本体上以滚动的方式旋转，每次将陶瓷盘上的一个晶片朝向出料侧。陶瓷盘还能够通过止挡机构被止挡，止挡机构可以限制陶瓷盘朝向出料侧的方向运动。所以，当工作人员利用推片推动晶片时便更加省时省力。
一种底板以及晶片装置

[实用新型]碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置-CN201921527970.1有效
发明人：徐良;曹力力;蓝文安;朱卫祥;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长用坩埚包括坩埚本体和石墨棒，所述坩埚本体具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区；所述石墨棒设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒的至少部分位于所述生长原料区。石墨棒的设置能够避免坩埚本体的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，提高生长原料的利用率，而且石墨棒还能够增强感应加热的热量分布，使得坩埚本体中的生长原料温度场分布更加均匀，进而有利于晶体的生长，从而解决了现有技术中碳化硅晶体生长原料的利用率低的技术问题。
碳化硅晶体生长坩埚装置

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN201921085193.X有效
发明人：徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料长晶领域，涉及一种碳化硅单晶生长装置，包括：顶部开口的筒状坩埚，放置碳化硅原料；基座，一侧表面为单晶生长面；翻转板，翻转板和基座一起设置于坩埚的顶部开口处；第一驱动机构，使得翻转板带动基座的单晶生长面在朝向坩埚内部和背离坩埚内部之间进行切换。本实用新型实施例通过设置供料机构，将富碳的非化学计量比的碳化硅加以调整，调整回富硅的非化学计量比的碳化硅。同时设置翻转板，籽晶在翻转板的带动下背向碳化硅原料，避免未平衡的碳化硅源升华至籽晶表面，造成晶体质量不佳。从而解决了碳化硅从富硅朝富碳变化导致的晶体质量下降的问题，增加了晶体生长长度、提升了长晶效益、提高了碳化硅单晶的质量。
碳化硅生长装置

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN201921085672.1有效
发明人：徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体材料长晶领域，具体涉及提供了一种碳化硅单晶生长装置，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于第一感应加热线圈的外周；第二感应加热线圈的位置靠近承料坩埚的底部，且第二感应加热线圈的频率大于第一感应加热线圈的频率。通过在第一感应加热线圈的外侧设置第二感应加热线圈，通过控制器根据温度数据独立控制第一感应加热线圈和/或第二感应加热线圈，以达到承料坩埚内部轴向温度梯度的“微调”，从而实现精确控制轴向温度梯度、获得理想晶体生长界面、得到高质量的碳化硅单晶的目的。
碳化硅生长装置

[发明专利]碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法-CN201910625636.8有效
发明人：徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料长晶领域，具体涉及提供了一种碳化硅单晶生长装置，包括：承料坩埚，用于放置碳化硅原料；第一感应加热线圈，设置于整个承料坩埚的外周；第二感应加热线圈，设置于第一感应加热线圈的外周；第二感应加热线圈的位置靠近承料坩埚的底部，且第二感应加热线圈的频率大于第一感应加热线圈的频率。通过在第一感应加热线圈的外侧设置第二感应加热线圈，通过控制器根据温度数据独立控制第一感应加热线圈和/或第二感应加热线圈，以达到承料坩埚内部轴向温度梯度的“微调”，从而实现精确控制轴向温度梯度、获得理想晶体生长界面、得到高质量的碳化硅单晶的目的。
碳化硅生长装置制造方法

[实用新型]一种用于蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理的喷砂装置-CN201921134900.X有效
发明人：徐良;阳明益;占俊杰;蓝文安;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B24C3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于蓝宝石衬底片背面缺陷再生处理的喷砂装置，包括再生处理工作箱、衬底置放平台、高压喷砂枪、研磨砂储放箱和研磨砂回收箱，衬底置放平台位于再生处理工作箱内，高压喷砂枪的枪头伸入所述再生处理工作箱内，高压喷砂枪的枪头与衬底置放平台之间可相对移动，研磨砂回收箱与再生处理工作箱相连通。本实用新型能够达到蓝宝石衬底片再生处理的对背面粗糙度的均匀性要求，并能提供晶圆再生的良率。
一种用于蓝宝石衬底背面缺陷再生处理喷砂装置

[实用新型]蓝宝石衬底切割片再生加工装置-CN201921292642.8有效
发明人：徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种蓝宝石衬底切割片再生加工装置，涉及半导体技术领域，包括：用于对衬底切割片的单面进行固定的万向平台；研磨砂轮，所述研磨砂轮设置在所述万向平台的上方，用于对所述衬底切割片另一面上具有厚度差异、表面晶体轴向偏轴的部位进行研磨修整。在上述技术方案中，搭配万向平台和研磨砂轮，可以修复切割衬底时由于金刚石线端跳、定角时角度定错等问题而造成的厚度差异过大、表面晶体轴向偏轴的缺陷，使缺陷衬底切割片经过研磨修整后能够重复使用。
蓝宝石衬底切割再生加工装置

[实用新型]碳化硅晶体生长车间用排气装置及排气系统-CN201921474561.X有效
发明人：徐良;曹力力;蓝文安;占俊杰;阳明益;朱卫祥;刘建哲;余雅俊 -专利权人：浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及车间排气领域，具体涉及一种碳化硅晶体生长车间用排气装置，所述碳化硅晶体生长车间包括用于支撑房顶的纵横交错的房梁，房梁与房顶形成多个凹面区域，包括于所述碳化硅晶体生长车间外设置的抽风机构以及于所述碳化硅晶体生长车间内设置的排气管，其中，所述排气管的一端位于所述碳化硅晶体生长车间内，所述抽风机构与所述排气管的另一端连接，用于将所述排气管内的气体排出所述碳化硅晶体生长车间外；所述排气管与所述凹面区域连通，所述排气管上间隔开设有若干个抽气孔。本实用新型通过与所述凹面区域连通的排气管，使得房顶各个角落的气体被排出所述碳化硅晶体生长车间外，避免了大量的氢气聚集造成的安全隐患。
碳化硅晶体生长车间排气装置排气系统

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