[发明专利]衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置在审
| 申请号： | 201910738543.6 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111681983A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 曽田栄一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及一种衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置。实施方式的衬底的分离方法分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，在第1衬底配置有第1衬底上的碳膜及碳膜上的存储单元，在第2衬底配置有晶体管，第1衬底与第2衬底是将配置有存储单元的侧的面与配置有晶体管的侧的面接合，该衬底的分离方法是去除碳膜，从贴合衬底分离存储单元及第2衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 分离 方法 半导体 存储 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910738543.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便于弯腰困难的人使用的脚趾甲刀
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
