[发明专利]衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置在审

申请号：	201910738543.6	申请日：	2019-08-12
公开（公告）号：	CN111681983A	公开（公告）日：	2020-09-18
发明（设计）人：	曽田栄一	申请（专利权）人：	东芝存储器株式会社
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683;H01L21/67;H01L27/11556;H01L27/11582
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	杨林勳
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	衬底分离方法半导体存储装置制造
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【说明书】：

实施方式涉及一种衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置。实施方式的衬底的分离方法分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，在第1衬底配置有第1衬底上的碳膜及碳膜上的存储单元，在第2衬底配置有晶体管，第1衬底与第2衬底是将配置有存储单元的侧的面与配置有晶体管的侧的面接合，该衬底的分离方法是去除碳膜，从贴合衬底分离存储单元及第2衬底。

[相关申请]

本申请享有在2019年3月11日申请的日本专利申请号2019-43952的优先权的利益，该日本专利申请的所有内容在本申请中被引用。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置。

背景技术

存在如下情况：在支撑衬底形成存储单元，在半导体衬底等衬底形成晶体管，将存储单元的形成面与晶体管的形成面接合，从而制造具有存储单元及晶体管的半导体存储装置。不需要的支撑衬底例如进行研削去除。

发明内容

一实施方式提供无需研削去除支撑衬底而能够再利用的衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置。

实施方式的衬底的分离方法分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，所述贴合衬底在所述第1衬底的第1面上配置有碳膜，在所述碳膜上配置有存储单元，在所述存储单元上配置有第1连接端子。进而，在所述第2衬底的第1面上配置有晶体管，在所述晶体管上配置有第2连接端子。所述第1衬底与所述第2衬底是在各自的第1面彼此对向的方向上，将配置有所述存储单元的侧的面与配置有所述晶体管的侧的面接合，且所述第1连接端子与所述第2连接端子连接。所述衬底的分离方法是去除所述碳膜，从所述贴合衬底分离所述第1连接端子与所述第2连接端子连接的所述存储单元及所述第2衬底。

附图说明

图1A及图1B是示意性地表示实施方式1的半导体存储装置的构成的一例的剖视图。

图2A～图2C是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图3A及图3B是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图4A及图4B是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图5A及图5B是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图6A及图6B是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图7A及图7B是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图8是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图9是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图10是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。

图11是表示实施方式1的半导体存储装置的制造处理的顺序的一例的流程图。