[发明专利]衬底的分离方法、半导体存储装置的制造方法及衬底分离装置

权利要求书

1.一种衬底的分离方法，其特征在于：分离具有第1衬底及第2衬底的贴合衬底，

所述贴合衬底在所述第1衬底的第1面上配置有碳膜，

在所述碳膜上配置有存储单元，

在所述存储单元上配置有第1连接端子，

在所述第2衬底的第1面上配置有晶体管，

在所述晶体管上配置有第2连接端子，

所述第1衬底与所述第2衬底是

在所述第1衬底的所述第1面与所述第2衬底的所述第1面对向的方向上，将配置有所述存储单元的侧的面与配置有所述晶体管的侧的面接合，且所述第1连接端子与所述第2连接端子连接，且

所述衬底的分离方法是去除所述碳膜，

从所述贴合衬底分离所述第1连接端子与所述第2连接端子连接的所述存储单元及所述第2衬底。

2.根据权利要求1所述的衬底的分离方法，其特征在于：所述第2衬底是半导体衬底，

所述晶体管是

在所述第2衬底的表层具有有源区域。

3.根据权利要求1所述的衬底的分离方法，其特征在于：在去除所述碳膜时，

利用等离子体灰化及湿式处理的至少任一种方法去除所述碳膜。

4.根据权利要求1所述的衬底的分离方法，其特征在于：在去除所述碳膜前，所述存储单元由绝缘层覆盖，

所述绝缘层的所述存储单元被划线包围，在相当于所述划线的位置上，配置有槽，该槽在所述绝缘层的深度方向上延伸直至到达所述碳膜，且与所述绝缘层的外侧连通。

5.根据权利要求1所述的衬底的分离方法，其特征在于：在分离所述贴合衬底时，

将所述第1衬底保持在具备第1真空吸盘、第1静电吸盘或钩爪的任一个的第1保持器，

将所述第2衬底保持在具备第2真空吸盘或第2静电吸盘的第2保持器，

通过拉开所述第1保持器与所述第2保持器的距离来分离所述贴合衬底。

6.根据权利要求5所述的衬底的分离方法，其特征在于：在分离所述贴合衬底时，

对所述第1衬底与所述存储单元之间进行气体喷射、液体喷射、振动施加及声波施加的至少任一个，而辅助所述贴合衬底的分离。

7.根据权利要求6所述的衬底的分离方法，其特征在于：对所述第1衬底与所述存储单元之间进行气体喷射、液体喷射、振动施加及声波施加的至少任一个时，将这至少任一个脉冲化而进行。

8.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于：

在第1衬底的第1面上形成碳膜，

在所述碳膜上形成存储单元，

形成连接在所述存储单元的接点与连接在所述接点的第1连接端子，

在第2衬底的第1面上形成晶体管，

形成连接在所述晶体管的接点与连接在所述接点的第2连接端子，

以所述第1连接端子与所述第2连接端子相互对向的方式将形成有所述存储单元的所述第1衬底与形成有所述晶体管的所述第2衬底接合，将所述第1连接端子与所述第2连接端子相互连接，

去除所述碳膜，

从形成有所述存储单元的所述第1衬底及所述第2衬底分离所述存储单元及所述第2衬底。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：所述第2衬底是半导体衬底，

所述晶体管

在所述第2衬底的表层具有有源区域。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：在去除所述碳膜时，

利用等离子体灰化及湿式处理的至少任一种方法去除所述碳膜。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于：在去除所述碳膜前，所述存储单元由绝缘层覆盖，所述绝缘层的所述存储单元被划线包围，在相当于所述划线的位置上，配置有槽，该槽在所述绝缘层的深度方向上延伸直至到达所述碳膜，且与所述绝缘层的外侧连通。