[发明专利]一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法在审
| 申请号： | 201910732716.3 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110578174A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 韩晓东;马林;严铮洸 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 11203 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法。包括水浴条件下将第一金属化合物与第二卤素酸混合溶解，并添加第三有机分子化合物制备钙钛矿粉末，洗涤干燥。用极性溶剂溶解所制备的钙钛矿粉末，并添加聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙烯醇等含氧基团聚合物混合搅拌，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择将聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸等含氧基团聚合物添加到有机溶剂中，有效降低了晶体生长过程的形核数量，进而得到大尺寸钙钛矿单晶。可以合成六种铅基有机无机钙钛矿单晶。合成方法操作简单，提高了原料的利用率，制备出的单晶尺寸大、结晶质量高、半导体性能好。为钙钛矿材料在太阳能电池、光电探测器，发光器件的运用提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 钙钛矿 含氧基团 聚丙二醇 聚乙二醇 聚乙烯醇 形核 制备 合成 有机分子化合物 极性溶剂溶解 晶体生长过程 半导体性能 钙钛矿材料 钙钛矿粉末 光电探测器 金属化合物 聚合物混合 无机钙钛矿 制备钙钛矿 析出 太阳能电池 单晶生长 发光器件 混合溶解 聚丙烯酸 水浴条件 洗涤干燥 有机溶剂 聚合物 铅基 加热 | ||
【主权项】：
1.一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法，其特征在于：将聚合物添加到钙钛矿溶液得到钙钛矿生长溶液，钙钛矿生长溶液晶体生长过程中形核数量降低，得到钙钛矿单晶；/n(1)用极性溶剂配制钙钛矿生长溶液；/n(2)向钙钛矿生长溶液中添加聚合物；所述添加的聚合物为含氧官能团聚合物，为聚乙二醇，聚丙二醇，聚乙烯醇，聚丙烯酸，聚丙烯酸钠，聚甲基丙烯酸甲酯，聚(乙二醇)-block-聚(丙二醇)-block-聚(乙二醇)中的一种；/n(3)将钙钛矿生长溶液过滤，加热生长出钙钛矿单晶。/n
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