[发明专利]存储单元结构及半导体器件在审
| 申请号： | 201910728030.7 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110534522A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谢启银 | 申请（专利权）人： | 谢启银 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 514535 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种存储单元结构及半导体器件，包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元，所述存储单元包括两个栅极结构，每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层，所述层叠体包括顺次重叠的栅氧化层、浮栅层及控制栅层，所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底，其中，所述浮栅层的上下表面均呈波浪形，从而在器件尺寸缩小的同时能够保证浮栅层的面积足够，增加了浮栅层存储电子的能力，且可以利用浮栅层表面的形状使两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端，结构更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅层 栅极结构 层叠体 衬底 存储单元 控制栅层 栅氧化层 存储单元结构 半导体器件 呈波浪形 尺寸缩小 存储电子 浮栅尖端 上下表面 向上翘起 栅介质层 保证 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元，所述存储单元包括两个栅极结构，每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层，所述层叠体包括顺次重叠的栅氧化层、浮栅层及控制栅层，所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底，其中，所述浮栅层的上下表面均呈波浪形，且两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
