[发明专利]存储单元结构及半导体器件

权利要求书

1.一种存储单元结构，其特征在于，包括衬底及位于所述衬底上的若干存储单元，所述存储单元包括两个栅极结构，每个所述栅极结构包括一层叠体及围绕所述层叠体的栅介质层，所述层叠体包括顺次重叠的栅氧化层、浮栅层及控制栅层，所述栅氧化层较所述控制栅层更靠近所述衬底，其中，所述浮栅层的上下表面均呈波浪形，且两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起以形成浮栅尖端。

2.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端的表面具有向上的弧形轮廓，以使所述两个所述栅极结构的浮栅层相对的两端向上翘起。

3.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述衬底中形成有交替排布的若干源区和若干漏区，所述栅极结构位于所述源区和所述漏区之间。

4.如权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，两个所述栅极结构共用所述漏区，两个所述栅极结构之间的衬底上形成有字线结构，所述字线结构与所述源区的位置相对应。

5.如权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，两个所述栅极结构的浮栅层的浮栅尖端均对准所述字线结构。

6.如权利要求5所述的存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构还包括一介质层，所述介质层位于所述衬底上，两个所述栅极结构均位于所述介质层中。

7.如权利要求6所述的存储单元结构，其特征在于，所述介质层中还形成有若干导电插塞，所述导电插塞与所述源区、漏区及字线结构连接，以将所述源区、漏区及所述字线结构引出。

8.如权利要求7所述的存储单元结构，其特征在于，所述导电插塞与所述源区、漏区或字线结构之间还设置有一欧姆接触层，所述欧姆接触层的材料为金属硅化物。

9.如权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述栅氧化层的材料为氧化硅，所述浮栅层及所述控制栅层的材料均为多晶硅。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的存储单元结构。