[发明专利]半导体装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201910680511.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112310045A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;黄嘉庆 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其操作方法，装置包括一半导体层、一栅极电极、一第一介电层、一源极场板、一第二介电层、一源极电极、一第三介电层以及一漏极结构。栅极电极设置于半导体层上，且栅极电极具有一第一侧壁与一第二侧壁。第一侧壁与第二侧壁分别位于栅极电极的一第一侧与一第二侧。第一介电层设置于半导体层与栅极电极上。源极场板设置于半导体层与第一介电层上。源极场板自栅极电极的第一侧延伸至第二侧，且部分源极场板与第二侧壁对应设置。第二介电层设置于源极场板上。源极电极设置于第二介电层上且与源极场板电连接。第三介电层设置于源极电极上。漏极结构设置于栅极电极的第二侧。有效屏蔽电场减少电磁干扰，改善电荷捕捉问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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