[发明专利]半导体装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201910680511.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112310045A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈志谚;黄嘉庆 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一半导体层；
一栅极电极，设置于该半导体层上，且该栅极电极具有一第一侧壁与一第二侧壁，该第一侧壁与该第二侧壁分别位于该栅极电极的一第一侧与一第二侧；
一第一介电层，设置于该半导体层与该栅极电极上；
一源极场板，设置于该半导体层与该第一介电层上，该源极场板自该栅极电极的该第一侧延伸至该第二侧，且部分该源极场板与该第二侧壁对应设置；
一第二介电层，设置于该源极场板上；
一源极电极，设置于该第二介电层上且与该源极场板电连接；
一第三介电层，设置于该源极电极上；以及
一漏极结构，设置于该栅极电极的该第二侧。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极场板与该第二侧壁对应设置的部分的最底面低于该栅极电极的最顶面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极自该栅极电极的该第一侧延伸至该第二侧，且部分该源极电极与该第二侧壁对应设置。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与该第二侧壁对应设置的部分的最底面低于该源极场板的最顶面。
5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极与该第二侧壁对应设置的部分的最底面低于该栅极电极的最顶面。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
一源极接触件，设置于该第三介电层上且与该源极电极电连接。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该源极接触件自该栅极电极的该第一侧延伸至该第二侧，且部分该源极接触件与该第二侧壁对应设置。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该源极接触件与该第二侧壁对应设置的部分的最底面低于该源极电极的最顶面。
9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该源极场板、该源极电极、该源极接触件的材料包含铝、铜、铁、镍铁合金、铍铜合金其中之一或任意组合。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一半导体层；
一栅极电极，设置于该半导体层上，且该栅极电极具有一第一侧壁与一第二侧壁，该第一侧壁与该第二侧壁分别位于该栅极电极的一第一侧与一第二侧；
一第一介电层，设置于该半导体层与该栅极电极上；
一源极场板，具有一第一本体部与一第一延伸部，该第一本体部设置于该栅极电极的该第一侧，该第一延伸部设置于该第一介电层上并连接于该第一本体部，该第一延伸部自该栅极电极的顶部延伸至该第二侧，且部分该第一延伸部与该第二侧壁对应设置；
一第二介电层，设置于该源极场板上；
一源极电极，设置于该第二介电层上且与该源极场板电连接；
一第三介电层，设置于该源极电极上；以及
一漏极结构，设置于该栅极电极的该第二侧。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该第一延伸部的最底面低于该栅极电极的最顶面。
12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，该源极电极具有一第二本体部与一第二延伸部，该第二本体部设置于该第一本体部上，该第二延伸部连接于该第二本体部并自该栅极电极的顶部延伸至该第二侧，且部分该第二延伸部与该第二侧壁对应设置。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第二延伸部的最底面低于该第一延伸部的最顶面。
14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该第二延伸部的最底面低于该栅极电极的最顶面。
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