[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201910677483.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110233178A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 泷沢胜;仓又朗人 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n‑半导体层(31)、以及具有比n‑半导体层(31)高的电子载流子浓度的n+半导体层(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 半导体层 电子载流子 肖特基电极 肖特基接触 导电性 欧姆电极层 反向耐压 接触电阻 类化合物 正向电压 增大的 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒二极管，具备：n型半导体层，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及电极层，其与所述n型半导体层形成肖特基接触，在所述n型半导体层形成有与所述电极层形成肖特基接触的第一半导体层、以及具有比所述第一半导体层高的电子载流子浓度的第二半导体层，所述第二半导体层由将从(100)面旋转50°以上90°以下的角度而成的面作为主面的β－Ga2O3基板构成，所述第一半导体层由位于所述β－Ga2O3基板的所述主面上的外延层构成。
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