[发明专利]肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201910677483.1 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110233178A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 泷沢胜;仓又朗人 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 半导体层 电子载流子 肖特基电极 肖特基接触 导电性 欧姆电极层 反向耐压 接触电阻 类化合物 正向电压 增大的 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基势垒二极管，具备：
n型半导体层，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及
电极层，其与所述n型半导体层形成肖特基接触，
在所述n型半导体层形成有与所述电极层形成肖特基接触的第一半导体层、以及具有比所述第一半导体层高的电子载流子浓度的第二半导体层，
所述第二半导体层由将从(100)面旋转50°以上90°以下的角度而成的面作为主面的β－Ga2O3基板构成，
所述第一半导体层由位于所述β－Ga2O3基板的所述主面上的外延层构成。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，
所述第一半导体层的厚度比与反向耐压对应的空乏层的厚度厚。
3.根据权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，
所述第一半导体层中的电子载流子浓度比1×1017cm-3低。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的肖特基势垒二极管，
所述第二半导体层的电子载流子浓度比1×1018cm-3高。
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