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[发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN202310433327.7在审
发明人：原田健司;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供使半导体装置的散热性提高的半导体装置。还涉及电力变换装置。半导体装置具有如下特征，即，在俯视观察时具有IGBT区域(10)及二极管区域(20)各自被以直线状交替地配置的交替区域，在由俯视观察时沿交替区域的第1方向上的宽度各自具有大于或等于2种的IGBT区域(10)及二极管区域(20)构成的单元区域中，在交替区域，最靠近单元区域的中心的IGBT区域(10a)的第1方向上的宽度小于或等于其它IGBT区域(10)的第1方向上的宽度，最靠近单元区域的中心的二极管区域(20a)的第1方向上的宽度小于或等于其它二极管区域(20)的第1方向上的宽度。
半导体装置电力变换

[发明专利]半导体装置-CN202010135495.4有效
发明人：上马场龙;高桥彻雄;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：得到具有良好的电气特性，并且抑制了制造成本的半导体装置。半导体装置(10)具有半导体衬底(40)，半导体衬底(40)被分类为IGBT区域(11)、二极管区域(12)、及MOSFET区域(13)。在半导体衬底(40)设置n‑型漂移层(50)。漂移层(50)在IGBT区域(11)、二极管区域(12)及MOSFET区域(13)之间共用。就半导体衬底(40)而言，通过在IGBT区域(11)和MOSFET区域(13)之间必然配置二极管区域(12)，从而使IGBT区域(11)与MOSFET区域(13)彼此分离而不相邻。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310822279.0在审
发明人： 曾根田真也;原田健司;中田洋辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202211574121.8在审
发明人：附田正则;西康一;曾根田真也;田中香次;境纪和;鹿野武敏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：获得成品率高、容易制造的半导体装置。在半导体芯片(1)的第1主面形成有第1主电极(10)和第1控制电极焊盘(15)。在半导体芯片(1)的第2主面形成有第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)。第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)分别接合到绝缘基板(36)的第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)。第1导线(42)以及第2导线(43)的键合部在俯视观察时与第2主电极(29)或第2控制电极焊盘(31)的接合部重叠。第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)的厚度小于等于0.2mm。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910031363.4有效
发明人： 曾根田真也;原田健司;中田洋辅 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够兼顾热应力环境下的半导体装置的可靠性以及制造工序中的组装性的提高。在半导体装置的制造方法中，在半导体基板的一个主面，通过将第1导电膜堆积、图案化，从而形成第1电极，在第1电极之上，形成与第1电极所具有的图案对应的第1金属膜，在半导体基板的另一个主面，通过将第2导电膜堆积，从而形成第2电极，在第2电极之上，形成比第1金属膜薄的第2金属膜，分别在第1金属膜之上以及第2金属膜之上通过非电解镀而一起形成第3金属膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202211446972.4在审
发明人： 曾根田真也;西康一;小西和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的目的在于在反向导通绝缘栅双极晶体管即RC‑IGBT中提高闩锁耐量并且降低接通电压。RC‑IGBT(101)具有：多个栅极电极(11a)，它们设置于多个栅极沟槽(11T)内；多个哑栅极电极(12a)，它们设置于多个哑沟槽(12T)内，具有位于与多个栅极电极的上表面相比靠下的位置处的上表面；层间绝缘膜(4)，其形成于半导体基板(50)的上表面，具有在各哑栅极电极的上方使各哑沟槽的至少一侧的侧壁露出的第1接触孔(17)；以及发射极电极(6)，其设置于层间绝缘膜之上及第1接触孔内，在从第1接触孔露出的各哑沟槽(12T)的侧壁处与基极层(15)电连接。在2个栅极沟槽之间配置至少1个哑沟槽。
向导绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211295518.3在审
发明人：西康一;田中香次;曾根田真也;本田成人;武田直幸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够减小芯片尺寸的技术。半导体装置具有第一电极和第二电极。第一电极与集电极层、阴极层的集电极层侧的第一部分连接。第二电极与阴极层的除了第一部分的第二部分连接。第一电极的功函数大于第二电极的功函数，第一电极及第二电极中的一者与半导体基板在半导体基板的厚度方向上夹着第一电极及第二电极中的另一者。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211259168.5在审
发明人：阪口浩介;中谷贵洋;西康一;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：目的在于得到能够抑制恢复动作时的尾电流的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体衬底，其具有IGBT区域和二极管区域；第1电极，其设置于所述半导体衬底的上表面；以及第2电极，其设置于所述半导体衬底的与上表面相反侧的背面，所述二极管区域具有：n型的漂移层；p型的阳极层，其设置于所述漂移层的上表面侧；以及n型的阴极层，其设置于所述漂移层的背面侧，在所述漂移层中的比所述半导体衬底的厚度方向上的中心更靠背面侧处，设置晶体缺陷密度高于所述漂移层的其它部分且具有质子的第1寿命控制区域，所述第1寿命控制区域的施主浓度的最大值小于或等于1.0×1015/cm3。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202211102670.5在审
发明人：小西和也;古川彰彦;西康一;藤井秀纪;曾根田真也;小西康雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提供使dV/dt的控制性提高，降低了导通损耗的半导体装置。在共通的半导体基板形成晶体管和二极管，具有晶体管区域和二极管区域，二极管区域具有：n型的第1半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；n型的第2半导体层，其设置于第1半导体层之上；p型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1主电极，其对二极管赋予第1电位；第2主电极，其对二极管赋予第2电位；以及哑有源沟槽栅极，其是以从半导体基板的第1主面到达第2半导体层的方式设置的，哑有源沟槽栅极在两个侧面的至少一者侧具有未被赋予第1电位而是成为浮置状态的第3半导体层，对哑有源沟槽栅极赋予晶体管的栅极电位。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及电力变换装置-CN201810298798.0有效
发明人：上马场龙;多留谷政良;曾根田真也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：目的是针对在一个半导体衬底之上同时设置有开关元件区域和二极管区域的半导体装置，实现良好的二极管特性和低成本性。RC‑IGBT(104)具备横跨于晶体管区域(104A)和二极管区域(104B)之上，形成于半导体基体(35)的一个主面之上的第1电极(31)。半导体基体在晶体管区域(104A)，在一个主面(35A)侧具备MOS栅极构造(33)。RC‑IGBT(104)具备：层间绝缘膜(11)，其将MOS栅极构造(33)的栅极电极(7)覆盖，具备将半导体层露出的接触孔(13)；以及阻挡金属(12)，其形成于接触孔(13)内部。第1电极(31)进入至接触孔(13)，经由阻挡金属(12)与MOS栅极构造(33)的半导体层接触，与半导体基体(35)的二极管区域(104B)处的半导体层直接接触。
半导体装置制造方法电力变换

[发明专利]半导体装置-CN202210962508.4在审
发明人：藤井秀纪;曾根田真也;中谷贵洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：目的在于得到容易进行特性调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：衬底，其具有IGBT区域和二极管区域；表面电极，其设置于所述衬底的上表面；以及背面电极，其设置于所述衬底的与上表面相反侧的背面，所述二极管区域具有通过所述衬底的上表面凹陷而形成得比所述IGBT区域薄的第1部分和设置于所述第1部分的一侧且比所述第1部分厚的第2部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863267.8在审
发明人：西康一;曾根田真也;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。得到具有容易进行开关元件中的栅极电极的电阻值的调整的内置栅极电阻区域的半导体装置。4个内置栅极电阻沟槽(8)全部作为实际使用内置栅极电阻沟槽起作用。4个内置栅极电阻沟槽(8)的每一者的一个端部经由配线用接触部(9L)与栅极配线(3)的配线侧接触区域(30)电连接。另一个端部经由焊盘用接触部(9P)与栅极焊盘(4)的焊盘侧接触区域(40)电连接。在4个内置栅极电阻沟槽(8)的每一者处，配线用接触部(9L)和焊盘用接触部(9P)之间的距离被规定为接触部间距离(Lr)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210757283.9在审
发明人： 曾根田真也;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请说明书所公开的技术是用于对温度感测二极管的特性波动进行抑制的技术。就本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置而言，在温度检测区域设置在第1导电型的漂移层的表层设置的第2导电型的扩散层、设置于扩散层的表层且与阳极电极电连接的第1导电型的阱层、设置于阱层的表层且与阴极电极电连接的第1导电型的阴极层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210827989.8在审
发明人： 曾根田真也;小西和也;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：目的在于提供与输入电容及反馈电容的控制相关的频率响应性提高的半导体装置。半导体装置具有电容调整区域。电容调整区域包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层及多个控制沟槽栅极。第1半导体层是作为半导体基板的上表面的表层而设置的。第2半导体层选择性地设置于第1半导体层的上表面侧。第2半导体层与多个控制沟槽栅极的侧面接触。第1半导体层、第2半导体层与晶体管的发射极电极电连接。至少1个控制沟槽栅极的控制沟槽电极与晶体管的栅极电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210268777.0在审
发明人：西康一;曾根田真也;小西和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对具有沟槽型MOS栅极构造的半导体装置，削减用于形成杂质层的掩模数量并且减小杂质层的分布的波动。半导体装置的制造方法具有：工序(b)，使用第1掩模注入p型杂质离子，在有源区域(10)处的漂移层(1)的第1主面(S1)侧形成基极层(15)；工序(c)，使用第1掩模注入n型杂质离子，在基极层(15)的第1主面(S1)侧形成发射极层(13)；工序(d)，在工序(b)及(c)后形成沟槽(11c)；工序(e)，在沟槽(11c)内隔着栅极绝缘膜(11b)埋入栅极电极(11a)；工序(g)，使用第2掩模(61)注入高剂量的p型杂质离子，将发射极层(13)的一部分变换为第1接触层(14a)。
半导体装置制造方法

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