[发明专利]半导体封装件有效
申请号: | 201910574034.4 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110718522B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 许洧瑄;李在杰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L25/18;H10B80/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙丽妍;马翠平 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一结构,包括多个堆叠的第一半导体芯片,并通过具有不同高度的连接过孔电连接到第一重新分布层;以及第二结构,包括电连接到第二重新分布层的第二半导体芯片。所述第一重新分布层和所述第二重新分布层通过形成在所述第二结构上的电连接构件彼此电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装件,包括:/n多个第一半导体芯片,分别具有设置有第一连接焊盘的第一有效表面和与所述第一有效表面背对的第一无效表面,所述多个第一半导体芯片被堆叠使得它们的所述第一连接焊盘分别暴露;/n第一包封剂,覆盖所述多个第一半导体芯片中的每个的至少一部分;/n第一连接构件,设置在比所述多个第一半导体芯片的位置低的位置并设置在所述第一包封剂的下部,并且所述第一连接构件包括:一个或更多个第一重新分布层;以及多个连接过孔,将所述多个第一半导体芯片中的每个的所述第一连接焊盘电连接到所述一个或更多个第一重新分布层,所述多个连接过孔中的每个穿入到所述第一包封剂中,并且所述多个连接过孔的高度彼此不同;/n第二半导体芯片,设置在比所述第一连接构件的位置低的位置,并且具有设置有第二连接焊盘的第二有效表面和与所述第二有效表面背对的第二无效表面;/n第二包封剂,设置在比所述第一连接构件的位置低的位置,并覆盖所述第二半导体芯片的至少一部分;/n第二连接构件,设置在比所述第二半导体芯片的位置低的位置并且设置在所述第二包封剂的下部,并且包括电连接到所述第二连接焊盘的至少一个第二重新分布层;以及/n电连接构件,贯穿所述第二包封剂,并且使所述一个或更多个第一重新分布层和所述至少一个第二重新分布层电连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910574034.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:对接接触结构
- 下一篇:导电性凸块及化学镀Pt浴