[发明专利]全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法有效
| 申请号： | 201910535412.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110246960B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 赵旭鹏;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 马莉 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L1 |
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| 搜索关键词： | 电学 调控 多功能 自旋 轨道 力矩 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，其中，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L10‑MnGa、L10‑MnAl、D022‑Mn3Ga或D022‑Mn3Ge中的一种或多种；所述垂直易磁化层的厚度为1～4nm；所述垂直易磁化层的易磁化轴沿面外方向。
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- 金立川;朱虹宇;贾侃成;何昱杰;唐晓莉;钟智勇;张怀武 - 电子科技大学
- 2019-05-10 - 2021-03-26 - H01L43/04
- 一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。
- 一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法-202011333356.9
- 不公告发明人 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2020-11-24 - 2021-02-23 - H01L43/04
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面的中心紧贴设置。本发明通过磁性层的作用，使得在磁场中，通过霍尔元件功能区的磁力线密度大幅增加，放大外界磁感应强度，从而同步提升霍尔元件的灵敏度，并且不增加工艺复杂性和成本。
- 一种霍尔元件-202021906918.X
- 胡双元 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2020-09-03 - 2021-02-19 - H01L43/04
- 本申请涉及一种霍尔元件。一种霍尔元件包括：衬底；十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；电极层，设置在所述十字形功能区的端部；钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。根据本申请实施例的霍尔元件能够同时实现高灵敏度和高信噪比。
- 专利分类
