[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910517155.5 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110634835B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 川崎裕二;吉野学 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明目的是提供能够缓和台阶的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具备：第1层间绝缘膜，具有第1开口；第2层间绝缘膜，具有俯视观察时与第1开口重叠且露出第1配线层的第2开口；第2配线层；第3层间绝缘膜；以及SOG(Spin on Glass)膜，以俯视观察时与第1开口重叠的方式形成，第2开口的开口面积比第1开口大，在剖视观察时，在将第1开口的宽度即第1开口宽度设为W1，将第2开口的宽度即第2开口宽度设为W2，将从半导体衬底表面到第2开口处的第3层间绝缘膜的表面为止的高度的最小值设为H1，以及将从半导体衬底表面到第2开口的端部即第2开口端处的第3层间绝缘膜的表面为止的高度设为H2时，满足(H2‑H1)/((W2‑W1)/2)≤3.6。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体衬底；/n第1层间绝缘膜，其形成于所述半导体衬底之上，具有露出所述半导体衬底的第1开口；/n第1配线层，其从所述第1开口内的所述半导体衬底之上形成至所述第1层间绝缘膜之上；/n第2层间绝缘膜，其形成于所述第1配线层之上的一部分以及所述第1层间绝缘膜之上，具有俯视观察时与所述第1开口重叠且露出所述第1配线层的第2开口；/n第2配线层，其从所述第2开口内的所述第1配线层之上形成至所述第2层间绝缘膜之上；/n第3层间绝缘膜，其形成于所述第2配线层之上以及所述第2层间绝缘膜之上；以及/nSOG膜，其位于所述第3层间绝缘膜内，以俯视观察时与所述第1开口重叠的方式形成，其中，SOG是旋涂玻璃，/n所述第2开口与所述第1开口相比开口面积大，/n在剖视观察时，在将所述第1开口的宽度即第1开口宽度设为W1，将所述第2开口的宽度即第2开口宽度设为W2，将从所述半导体衬底的表面到所述第2开口处的所述第3层间绝缘膜的表面为止的高度的最小值设为H1，以及将从所述半导体衬底的表面到所述第2开口的端部即第2开口端处的所述第3层间绝缘膜的表面为止的高度设为H2时，满足/n(H2-H1)/((W2-W1)/2)≤3.6。/n
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