[发明专利]半导体芯片和处理半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201910474923.3 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN110246820B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | D.博纳特;L.博鲁基;M.德比;B.魏德冈斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体芯片和处理半导体芯片的方法。各种实施例提供了一种半导体芯片，其中所述半导体芯片包括：第一接触区域和第二接触区域，两者都形成在半导体芯片的前侧处；钝化层，其布置在第一接触区域与第二接触区域之间的前侧处；以及接触堆叠，其形成在半导体芯片的前侧之上并且包括多个层，其中所述多个层中的至少一个层从所述钝化层和与所述钝化层相邻的接触区域的边界区被移除，并且其中多个不同层中的至少另一个层存在于邻接所述钝化层的接触区域的边界区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：形成在半导体芯片的前侧处的接触区域，其中钝化层被布置在所述前侧处在所述接触区域的边界区中邻接所述接触区域；多层金属化堆叠，包括粘合促进剂层、接触层和平面保护层，其中所述接触层被布置在所述粘合促进剂层与所述保护层之间，其中在至少部分所述接触区域、所述边界区和部分所述钝化层上方仅形成所述多层金属化堆叠的粘合促进剂层，并且所述接触层和所述平面保护层仅在部分所述接触区域上方形成。
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