[发明专利]一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置在审

申请号：	201910397618.9	申请日：	2019-05-14
公开（公告）号：	CN110042368A	公开（公告）日：	2019-07-23
发明（设计）人：	孔伟成;赵勇杰	申请（专利权）人：	合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号：	C23C16/48	分类号：	C23C16/48;C23C16/458;C23C16/26
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	230008 安徽省合***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明属于化学气相沉积领域，具体公开了一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，包括：设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器和可升降的下加热器；支撑架，固定设置在所述下加热器上；托盘，设置在所述支撑架远离所述下加热器的一侧，用于承载基板；悬浮催化剂装置，用于提供催化剂至所述基板正上方；所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小，且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架；所述支撑架可导电，所述基板通过所述托盘内嵌装的导电线电连接所述支撑架。本发明能够提高石墨烯异质结的质量保证。
搜索关键词：	支撑架托盘下加热器化学气相沉积石墨烯异质结承载基板可升降悬浮催化剂彼此相对固定设置上加热器质量保证逐渐减小导电线电连接导电基板内嵌竖直催化剂平行生产
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【主权项】：

1.一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，其特征在于，所述装置包括：设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器(1)和可升降的下加热器(2)；支撑架(3)，固定设置在所述下加热器(2)上，且位于所述下加热器(2)和所述上加热器(1)之间；托盘(4)，设置在所述支撑架(3)远离所述下加热器(2)的一侧，用于承载基板；悬浮催化剂装置(6)，用于提供催化剂至所述基板正上方；所述支撑架(3)的平行所述下加热器(2)和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器(2)至所述托盘(4)逐渐减小，且所述托盘(4)用于承载基板的表面高于所述支撑架(3)；所述支撑架(3)可导电，所述基板通过所述托盘(4)内嵌装的导电线电连接所述支撑架(3)。

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摘要：本发明属于化学气相沉积领域，具体公开了一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置，包括：设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器和可升降的下加热器；支撑架，固定设置在所述下加热器上；托盘，设置在所述支撑架远离所述下加热器的一侧，用于承载基板；悬浮催化剂装置，用于提供催化剂至所述基板正上方；所述支撑架的平行所述下加热器和所述托盘两者的横截面的尺寸从所述下加热器至所述托盘逐渐减小，且所述托盘用于承载基板的表面高于所述支撑架；所述支撑架可导电，所述基板通过所述托盘内嵌装的导电线电连接所述支撑架。本发明能够提高石墨烯异质结的质量保证。

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摘要：本发明公开了一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片及其制备方法，制备方法包括以下步骤：采用真空热压烧结法获得密度≥99％理论密度、纯度≥99.99％且平均晶粒尺寸≤50μm的钨板；将钨板加工成重复环绕的多环C形结构的加热片基体，采用两片加热片基体对称安装布局，再以喷钨砂的方法对加热片基体表面预处理并进行预热活化处理；对40～80目的球形钨粉进行烘烤处理，通过等离子喷涂技术在加热片基体的粗糙表面喷涂一层厚度在10μm～100μm之间、结合力强且具有高热发射率的粗糙钨涂层，从而获得一种用于MOCVD设备、具有高热发射率、可提高MOCVD设备温场均匀性且使用寿命长的钨涂层加热片。

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申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明涉及一种薄膜形成装置，其通过将源气体供给至基板的表面上，并将激光束照射至被供给的源气体，并借助与激光束产生反应的源气体在基板上形成薄膜，以修补基板的缺陷，其特征在于，所述基板的上部具备有腔室单元；所述腔室单元上形成有用于滞留源气体的气体滞留空间部，及用于覆盖所述气体滞留空间部的上端开口部的窗口，以使激光束从所述窗口的上部照射；用于供给及排放气体的多个管道连接于所述腔室单元的内部。

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摘要：本发明涉及一种薄膜形成装置，其通过将源气体供给至基板的表面上，并将激光束照射至被供给的源气体，并借助与激光束产生反应的源气体在基板上形成薄膜，以修补基板的缺陷，其特征在于，所述基板的上部具备有腔室单元；所述腔室单元上形成有用于滞留源气体的气体滞留空间部，及用于覆盖所述气体滞留空间部的上端开口部的窗口，以使激光束从所述窗口的上部照射；用于供给及排放气体的多个管道连接于所述腔室单元的内部。

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摘要：本实用新型涉及红外加热灯管技术领域，尤其涉及一种红外加热灯管装置。该红外加热灯管装置包括安装底板以及设置在所述安装底板上的多个红外加热灯管，所述的多个红外加热灯管以所述安装底板的中心为圆心按照圆周方向呈放射状排列，且每个所述红外加热灯管的延长线均指向所述安装底板的中心。本实用新型所述的红外加热灯管装置，通过将红外加热灯管以安装底板的中心为圆心按照圆周方向呈放射状排列，可以实现更好的温度均匀性控制，满足更高的工艺均匀性要求。

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申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C16/48
摘要：一种应用于小型MOCVD系统的高温加热装置，包括加热元件、电炉盘和电极连接线，加热元件上面设有盖板，电炉盘底部预留若干孔洞，连接加热元件的电极连接线有陶瓷管加以保护；加热装置外部由不锈钢外罩所封闭，电炉盘下方有隔热板，隔热板上预留若干和电炉盘底部相对应的孔洞，隔热板上方外罩的侧面设有能通保护气体的不锈钢管，不锈钢管管可供氮气等保护气通入加热元件上部，对加热元件进行双重保护；本发明可实现小型MOCVD系统的高温加热，并能有效阻止高温情况下氧气等对加热元件造成的氧化和腐蚀影响，大幅提升了加热元件使用寿命，也可以屏蔽限制高温条件下加热元件的各种释放，有利于获得性能优异的沉积薄膜材料。

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申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C23C16/48
摘要：一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法，涉及多层磁光薄膜制备工艺技术领域。它为了解决现有的方法制备的多层磁光薄膜会在薄膜内部形成大量的裂纹和缺陷及制备时间长的问题。充入气体的流量保持在5mTorr‑25mTorr，利用脉冲激光沉积法，一步连续沉积两层或三层铁石榴石磁光薄膜，脉冲激光的能量密度为1.5J/cm2‑2.5J/cm2，脉冲激光的频率为1Hz‑20Hz，在温度为800℃以下及氧气氛下进行快速退火。本发明可用于沉积多层磁光薄膜，实现在光隔离器以及其它非互易光学器件上的集成应用。

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发明人：董志清 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明涉及红外加热灯管技术领域，尤其涉及一种红外加热灯管装置。该红外加热灯管装置包括安装底板以及设置在所述安装底板上的多个红外加热灯管，所述的多个红外加热灯管以所述安装底板的中心为圆心按照圆周方向呈放射状排列，且每个所述红外加热灯管的延长线均指向所述安装底板的中心。本发明所述的红外加热灯管装置，通过将红外加热灯管以安装底板的中心为圆心按照圆周方向呈放射状排列，可以实现更好的温度均匀性控制，满足更高的工艺均匀性要求。

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摘要：一种激光诱导气相沉积系统的光气分离装置，包括激光器、聚焦物镜、反应腔体和平衡调节阀。由于该装置将保护气体入/出口、工作气体入口和负压抽取口分别设置于反应腔体的上、中、底部，并利用平衡调节阀对反应腔体匀压控制，使得反应腔体内气路分布均匀，提升工作气体稳定性和负压抽取的均匀性，提高沉积后的表面质量和均匀度；又由于该装置在反应腔体的腔体口设置了阻气镜片，在靠近腔体口的反应腔体两侧分别设置了保护气体入口和保护气体出口，保护气体将对阻气镜片下表面起到了保护作用，使得工作气体不会接触到阻气镜片下表面，避免在阻气镜片下表面形成阻档激光束进入反应腔体的金属膜，不仅可防止工作气体逃逸还保证阻气镜片的透光性。

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申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C16/48
摘要：一种激光诱导气相沉积系统的光路控制装置，包括第一激光器和第二激光器以及沿光路设置的第一反射镜、第二放射镜、透镜、能量传感器、第三反射镜和物镜。由于本申请采用了两个不同类型激光器，即第一激光器用于对产品进行表面微镀膜，第二激光器用于对产品缺陷进行修复，使得激光诱导气相沉积系统满足不同能量和类型激光束的需求，又由于本申请采用了透镜将激光器射出的激光束按预设的比例进行反射和透射，并利用能量传感器根据射入的反射激光束能量大小和预设的比例，计算出透射激光束的能量大小，使得可实时监控照射在待镀物件表面的透射激光束能量大小，控制每次镀膜时所用激光的能量大小，提高镀膜工艺水平和镀膜效率。

一种激光金属镀膜装置-201720777767.4
发明人：刘世文;刘志奇 -专利权人：深圳市森美协尔科技有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C16/48
摘要：一种激光金属镀膜装置,包括激光器、显微镜、反应腔体、运动气缸、运动连杆、控制器、上位机和位置传感器。由于本申请的激光金属镀膜装置通过控制器接收上位机的镀膜指令，根据镀膜指令开启流量截流阀，驱动运动气缸使得运动连杆往复水平移动，带动反应腔体移动至显微镜下方接收激光镀膜；在移动的过程中控制器通过位置传感器实时获取驱动连杆的位置信息，根据位置信息，改变气体流量阀开启的大小，调节输入的气体流量，控制驱动连杆移动速度，从而对待镀物体的镀膜操作进行闭环控制，减小反应腔体与显微镜的中心偏差，使得镀膜密度、精度更好。

具有反射体的处理腔室-201680029627.7
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申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C23C16/48
摘要：提供一种用于处理半导体基板的反射体。反射体包括环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧。底侧包含多个第一表面与多个第二表面。每个第一表面与每个第二表面定位于环绕环形主体的不同角位置处。每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。

超薄反应腔-201510013868.X
发明人：宋体涵;万承华 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明涉及用于激光气相化学反应的密闭空腔装置技术领域，提供超薄反应腔，包括基座，基座设有反应孔、窗口片、喷嘴部件及反应气分配环，喷嘴部件设有反应气喷口，反应气分配环设有环形气道，基座设有一反应气进气道、一反应气出气道及一真空抽气道，基座下表面设有一反应气收集嘴及一真空抽气嘴，反应气分配环上设有凹槽，凹槽的大小沿气体流动的方向逐渐变大。反应气分配环与喷嘴部件可拆卸连接，且基座只设置一个反应气进气道、一个反应气出气道及一个真空抽气道，超薄反应腔厚度更薄，反应定域精度更高，修补缺陷更小；由于反应气通过各凹槽调节，气流量平衡，使得反应气均匀、稳定喷覆，对沉积方向、气流进出口不敏感，提高修补良品率。

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摘要：本发明公开了一种石墨烯的制备方法及制备装置，该制备方法包括将片状金属基体悬空放置于反应室内，并使碳源材料接触片状金属基体；利用激光束对片状金属基体的一侧表面进行辐照，从而在片状金属基体的与激光束辐照面相反的一侧表面生成石墨烯；其中，片状金属基体的与激光束辐照面相反的一侧表面必须接触碳源材料。该制备装置包括反应室、基体支撑架、激光发射器、抽真空设备以及气体输入管；基体支撑架固定在反应室内，用于悬空设置片状金属基体；激光发射器所发射的激光束垂直辐照在片状金属基体的表面；抽真空设备和气体输入管均与反应室的内部连通。本发明实施例能够实现微纳尺寸结构的加工，不仅适用于各种波长的脉冲激光和连续激光，而且其碳源材料可以使用气态碳源，也可以使用固态碳源。

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发明人：张金星;杨振雄;宋创业 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型公开一种脉冲激光辅助化学气相沉积生长系统装置。所述装置包括激光器、加热系统、生长室、真空系统、冷却系统、载气系统、排气系统。激光器用于产生高能激光束，激光束与源材料靶材作用形成等离子体羽辉。生长室是一密封的Y型管，可先后或同时进行各种物理/化学反应。加热系统采用多温区管式炉可控加热方法，为生长室中材料生长提供所需的高温环境。本实用新型装置可先后、可同时进行脉冲激光沉积和化学气相沉积，可调节控制激光、温度、气压、反应气体等，分别或同时利用物理/化学方式达到高质量多组分的薄膜、异质结及纳米结构等材料的生长，材料体系可覆盖氧化物、半导体、金属及其复合结构等。

一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法-201410159218.1
发明人：高兴国 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C23C16/48
摘要：稀磁半导体薄膜材料中会出现很多新奇的物理性质，而这些新奇的物理性质为新型自旋器件的研制提供了更广阔的空间，使其在磁感应器、高密度非易失性存储器、光隔离器、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，已成为材料领域中的研究热点之一。传统制备薄膜材料的方法有分子束外延法和金属有机物化学气相沉积等，它们都是平衡生长法，其弊端在于掺杂效率低、设备维护成本高、原材料价格昂贵、生产周期长以及尾气处理过程复杂等。本发明属于半导体技术领域，提供了一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法，具有掺杂效率高、制备成本低、生产周期短以及尾气处理简单等优点，可大大提高生产效率和经济效益。

连续生产的粉体微波化学气相包覆设备-201520396752.4
发明人：徐宁;吴孟涛;赵明;宋英杰;伏萍萍 -专利权人：天津巴莫科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型公开一种连续生产的粉体微波化学气相包覆设备，包括依次连接的进料阀、反应腔和出料阀；反应腔为两端带有弯管的直管；直管上安装有旋转驱动装置和多个磁控管；反应腔两端分别安装有进气口I和反应腔抽气口；进料阀包括壳体、壳体内部的进料阀转子，及与进料阀转子设置于同一平面上的进料口、进料阀进气口、进料阀抽气口和进料调速阀；进料阀转子能在壳体内部自由旋转，且与壳体内壁相切形成密封；出料阀与进料阀结构类似，也是通过转子旋转进行物料传递并保持反应腔的密封性；进料阀、出料阀转子均为一端开口的结构。该设备能实现快速连续生产，且制得产品具有均匀的包覆层，性质均一稳定。

超薄反应腔-201520018372.7
发明人：宋体涵;万承华 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型涉及用于激光气相化学反应的密闭空腔装置技术领域，提供超薄反应腔，包括基座，基座设有反应孔、窗口片、喷嘴部件及反应气分配环，喷嘴部件设有反应气喷口，反应气分配环设有环形气道，基座设有一反应气进气道、一反应气出气道及一真空抽气道，基座下表面设有一反应气收集嘴及一真空抽气嘴，反应气分配环上设有凹槽，凹槽的大小沿气体流动的方向逐渐变大。反应气分配环与喷嘴部件可拆卸连接，且基座只设置一个反应气进气道、一个反应气出气道及一个真空抽气道，超薄反应腔厚度更薄，反应定域精度更高，修补缺陷更小；由于反应气通过各凹槽调节，气流量平衡，使得反应气均匀、稳定喷覆，对沉积方向、气流进出口不敏感，提高修补良品率。

一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备-201410562767.3
发明人：曾晓雁;陆永枫;郭连波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-10-18 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备，该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反应腔室内温度为250至800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦合至活性氮源气体分子，加速NH键的断裂，提供充足的活性氮源，使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第III族氮化物膜层材料，持续作用直到沉积物覆盖整个衬底并达到所需厚度。装备包括真空反应腔、气体预混合腔、波长可调谐激光器和移动机构。本发明在提高活性氮源利用率和减少环境污染的基础上，实现低温环境下氮化物膜层材料的大面积、快速和高质量生长。

一种激光辅助低温生长氮化物材料的装置-201420609361.1
发明人：曾晓雁;陆永枫;郭连波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-10-18 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C23C16/48
摘要：本实用新型公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的装置，包括真空反应腔、气体预混合腔、波长可调谐激光器和移动机构；激光器为波长可调谐的CO₂激光器，真空反应腔上设置有激光入射窗口和激光出射窗口；激光器的出光口、光斑调节器、激光入射窗口和激光出射窗口依次位于同一光路上，激光出射窗口处安装有激光功率计；加热器位于真空反应腔内，加热器表面用于放置衬底；移动机构用于激光束与衬底产生相对移动。使用本实用新型可以在提高活性氮源利用率和减少环境污染的基础上，实现低温环境下氮化物膜层材料的大面积、快速和高质量生长。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种化学气相沉积生产石墨烯异质结的装置在审

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