[发明专利]一种分离栅闪存单元的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种分离栅闪存单元的半导体结构及其制造方法。本发明所提供的分离栅闪存单元至少包括形成在衬底上的选择栅极和浮栅极，上述选择栅极的一侧形成有隔离墙，上述隔离墙的另一侧为上述浮栅极，上述隔离墙下方的衬底上部形成有离子注入区，其中上述离子注入区的离子注入类型不同于上述衬底的离子注入类型。本发明还提供了一种用以制造上述分离栅闪存单元的制造方法，本发明提供的制造方法能够兼容现有的分离栅闪存单元的制造工艺，在不增加工艺成本、工艺复杂度的情况下所制造出的分离栅闪存单元能够降低沟道反型空乏区域对沟道电流的影响，从而改善闪存单元沟道电流的特性，优化器件性能。

主权项

1.一种分离栅闪存单元的半导体结构，所述分离栅闪存单元至少包括形成在衬底上的选择栅极和浮栅极，其特征在于，所述选择栅极的一侧形成有隔离墙，所述隔离墙的另一侧为所述浮栅极，所述隔离墙下方的衬底上部形成有离子注入区，其中所述离子注入区的离子注入类型不同于所述衬底的离子注入类型。