[发明专利]一种高兼容性层次化的NAND闪存控制系统与方法在审
| 申请号： | 201610873164.4 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107918591A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 方小玲;许伟;胡民;潘永斌;骆国庆;李国阳 | 申请（专利权）人： | 联芸科技（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高兼容性层次化的NAND闪存控制系统与方法，用于适配各种厂商提供的各类型号的NAND闪存颗粒。该NAND闪存控制方法将NAND闪存控制分为三个层次1. 操作层，负责并行管理多个NAND闪存颗粒的操作流程；2. 命令层，负责处理NAND闪存命令集；3. 物理层，负责驱动NAND闪存接口总线。对于该NAND闪存控制系统收到的NAND闪存操作指令，闪存操作层根据配置好的NAND闪存操作的命令时序和流程控制，将闪存操作拆分为闪存命令，发送给闪存命令层，并且操作层可对多个闪存操作进行并行流程控制；闪存命令层根据配置好的闪存命令的总线控制序列，将闪存命令拆分成闪存总线状态序列，发送给闪存物理层；闪存物理层根据配置好的闪存接口的总线行为，控制闪存接口总线状态，驱动NAND闪存接口总线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容性 层次 nand 闪存 控制系统 方法 | ||
【主权项】：
一种高兼容性层次化的NAND闪存控制方法，包括3个层次：层次1：并行管理多个NAND闪存颗粒操作流程的操作层；层次2：处理NAND闪存命令集的命令层；层次3：驱动NAND闪存接口总线的物理层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联芸科技（杭州）有限公司，未经联芸科技（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610873164.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
