[发明专利]一种分离栅闪存单元的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种分离栅闪存单元的制造方法，所述分离栅闪存单元至少包括选择栅极和浮栅极，其特征在于，所述制造方法包括：

提供第一类型的衬底；

在所述衬底上形成所述选择栅极；

对形成所述选择栅极之后的衬底执行第二类型的离子注入；

在所述选择栅极的一侧形成隔离墙；

对形成所述隔离墙之后的衬底执行所述第一类型的离子注入，以仅在所述隔离墙下方的衬底上部形成所述第二类型的离子注入区，所述第一类型不同于所述第二类型；以及

在所述隔离墙的另一侧形成所述浮栅极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一类型的离子注入的深度略大于所述第二类型的离子注入的深度，以中和所述第二类型的离子注入。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一类型的离子注入的注入浓度使所述第一类型的离子注入中和所述第二类型的离子注入。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型，以及

形成所述离子注入区所采用的N型离子为砷。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，注入所述砷采用的能量为10-15KeV，注入所述砷采用的剂量为5E12-5E13 atom/cm²，以及

采用硼执行所述第一类型的离子注入；其中

注入所述硼采用的能量为5-8KeV，注入所述硼采用的剂量为1E12-1E13 atom/cm²。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述选择栅极另一侧的衬底上部与所述浮栅极另一侧的衬底上部分别形成所述分离栅闪存单元的源/漏极离子注入区，其中

所述源/漏极离子注入区的深度大于所述第一类型的离子注入的深度。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述源/漏极离子注入区为所述第二类型，以及

所述离子注入区的离子浓度低于所述源/漏极离子注入区的离子浓度。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二类型的离子注入区还包括：

在执行第二类型的离子注入后，采用快速热氧化工艺对所述选择栅极进行预氧化。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，进行所述预氧化进一步包括：在950-1050摄氏度的温度下执行所述快速热氧化工艺在所述选择栅极的表面形成60-70埃的预氧化层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入区的宽度关联于所述隔离墙的厚度。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入区的宽为165-185埃。

12.一种分离栅闪存单元的半导体结构，所述分离栅闪存单元至少包括形成在衬底上的选择栅极和浮栅极，其特征在于，所述半导体结构采用如权利要求1-11中任意一项所述的制造方法形成。