[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910317221.4 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN111048490A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 安庭奭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/552;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体存储装置及其制造方法。制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法包括在晶片上形成第一存储器裸片。在其上形成有第一存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一部分。通过执行半锯切工艺去除底部填充层的留在第一存储器裸片的顶表面上的第一部分，并且在去除底部填充层的第一部分期间，去除第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔。在第一存储器裸片上形成第二存储器裸片。在包括形成在其上的第二存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910317221.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光电元件封装体
- 下一篇：电子设备状态切换系统
- 同类专利
- 专利分类
