[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

说明书

提供了一种半导体存储装置及其制造方法。制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法包括在晶片上形成第一存储器裸片。在其上形成有第一存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一部分。通过执行半锯切工艺去除底部填充层的留在第一存储器裸片的顶表面上的第一部分，并且在去除底部填充层的第一部分期间，去除第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔。在第一存储器裸片上形成第二存储器裸片。在包括形成在其上的第二存储器裸片的晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第二部分。

相关申请的交叉引用

该专利申请要求于2018年10月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0122509的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

与示例实施例一致的装置和方法涉及一种半导体存储装置及其制造方法，该半导体存储装置的尺寸可以通过在不使用内插件(interposer)的情况下堆叠相同类型的存储器芯片而减小。

背景技术

正在应用存储器裸片(memory dies)沿竖直方向堆叠在晶片上的芯片堆叠结构，以增加每单位面积的存储容量和数据处理能力。在将存储器裸片竖直地堆叠在晶片上之后，可以将晶片切割成单独的芯片封装单元，并且每个芯片封装件可以接合到控制器和印刷电路板(PCB)。相同类型的存储器裸片可以堆叠在晶片上并且经由穿硅通路(through-silicon via，TSV)连接到控制器。传统的半导体存储装置可能需要很大的基板晶片来堆叠相同类型的存储器裸片。由于传统的半导体存储装置使用了内插件，因此传统的半导体存储装置中需要内插晶片。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种可以通过在不使用内插件的情况下堆叠相同类型的芯片来减小其尺寸的半导体存储装置及其制造方法。

根据示例实施例，提供了一种制造其中堆叠有多个存储器裸片的半导体存储装置的方法。所述方法包括：在晶片上形成多个第一存储器裸片；在包括形成在其上的所述多个第一存储器裸片的所述晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一段，所述底部填充层的所述第一段包括留在所述多个第一存储器裸片的顶表面上的所述底部填充层的第一部分；执行第一半锯切工艺，以去除所述底部填充层的所述第一部分，并且在去除所述底部填充层的所述第一部分期间去除所述多个第一存储器裸片中的每个第一存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第一空腔；在所述多个第一存储器裸片上形成多个第二存储器裸片；在包括形成在其上的所述多个第二存储器裸片的所述晶片上沉积所述底部填充材料，以在所述底部填充层的所述第一端的剩余部分上形成所述底部填充层的第二段，所述底部填充层的所述第二段包括留在所述多个第二存储器裸片的顶表面上的所述底部填充层的第二部分；以及执行第二半锯切工艺，以去除所述底部填充层的所述第二部分，并且在去除所述底部填充层的所述第二部分期间去除所述多个第二存储器裸片中的每个第二存储器裸片的边缘部分的一部分，以形成第二空腔。

根据示例实施例，提供了一种其中堆叠有多个存储器裸片的制造半导体存储装置的方法。所述方法包括：在晶片上形成多个第一存储器裸片；去除所述多个第一存储器裸片中的每个第一存储器裸片的边缘部分的一部分以形成第一空腔；在包括形成在其上的所述多个第一存储器裸片的所述晶片上沉积底部填充材料，以形成底部填充层的第一部分；在所述多个第一存储器裸片上形成多个第二存储器裸片；去除所述多个第二存储器裸片中的每个第二存储器裸片的边缘部分的一部分以形成第二空腔；以及在包括形成在其上的所述多个第二存储器裸片的所述晶片上沉积所述底部填充材料，以形成所述底部填充层的第二部分。