[发明专利]包括凸块结构的半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装在审
| 申请号： | 201910309072.7 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676227A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 裴镇国;郑显秀;柳翰成;李仁荣;李灿浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/18;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 电极焊盘 焊盘 缓冲 开口 衬底 半导体 第二保护层 第一保护层 半导体芯片 低k材料 电连接 焊料层 上表面 堆叠 柱层 平行 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：/n半导体衬底；/n电极焊盘，设置在所述半导体衬底上，所述电极焊盘包括低k材料层；/n第一保护层，至少部分地围绕所述电极焊盘，所述第一保护层包括在其上部的第一开口；/n缓冲焊盘，电连接到所述电极焊盘；/n第二保护层，至少部分地围绕所述缓冲焊盘，所述第二保护层包括在其上部的第二开口；以及/n柱层和焊料层，顺序地堆叠在所述缓冲焊盘上，/n其中，所述缓冲焊盘的厚度大于所述电极焊盘的厚度，并且/n其中，所述第一开口在平行于所述半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于所述第二开口在所述第一方向上的宽度。/n
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