[发明专利]半导体存储器件、电力去耦电容器阵列及存储器系统在审
| 申请号： | 201910269908.5 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110580923A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 林周元;李镐哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C5/02 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件、其电力去耦电容器阵列以及包括其的存储器系统。半导体存储器件包括存储器单元阵列、外围电路和多个电力去耦电容器阵列。存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且多个存储器单元中的每一个包括单元电容器。多个电力去耦电容器阵列中的每一个包括m×n矩阵形式的m×n个电力去耦电容器子阵列。m×n个电力去耦电容器子阵列中的每一个包括多个电力去耦电容器，并且多个电力去耦电容器中的每一个具有与单元电容器相同的结构，并且多个电力去耦电容器并联连接。彼此不同的第一电压和第二电压被施加到电力去耦电容器子阵列中在第一方向上相邻布置的两个和电力去耦电容器子阵列中在第二方向上相邻布置的两个。 | ||
| 搜索关键词： | 去耦电容器 子阵列 半导体存储器件 存储器单元阵列 存储器单元 单元电容器 相邻布置 存储器系统 并联连接 矩阵形式 外围电路 施加 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：/n存储器单元阵列，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括单元电容器；/n外围电路，被配置为将从外部源施加的数据输入到所述存储器单元阵列或者将数据从所述存储器单元阵列输出到外部源；以及/n多个电力去耦电容器阵列，被配置为减小在彼此不同的第一电压和第二电压之间出现的电力噪声，/n其中，所述多个电力去耦电容器阵列中的每一个包括m×n矩阵形式的m×n个电力去耦电容器子阵列，/n其中，所述m×n个电力去耦电容器子阵列中的每一个包括多个电力去耦电容器，/n其中，所述多个电力去耦电容器中的每一个具有与所述单元电容器相同的结构，并且所述多个电力去耦电容器并联连接，/n其中，所述第一电压和所述第二电压被施加到所述m×n个电力去耦电容器子阵列中在第一方向上相邻布置的两个电力去耦电容器子阵列以及所述m×n个电力去耦电容器子阵列中在第二方向上相邻布置的两个电力去耦电容器子阵列，/n其中，m和n是大于或等于2的相应整数值。/n
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