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[发明专利]支持冲突的高速多端口存储器-CN202280014931.X在审
发明人： P·拉杰;R·萨胡;S·K·古普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种多端口存储器，其支持用于同一多端口位单元的读取端口与写入端口之间的冲突。当用于多端口位单元的写入端口在系统时钟信号期间被寻址时，感测放大器从多端口位单元读取数据位。如果用于多端口位单元的读取端口在同一系统时钟信号期间被寻址，则多路复用器选择来自感测放大器的输出位。
支持冲突高速多端存储器

[发明专利]具有提高的写入能力的存储器和设备-CN201780057118.X有效
发明人： P·拉杰;S·K·古普塔;R·萨胡;L·霍拉·瓦克瓦迪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：公开了一种存储器和设备。存储器包括具有多个存储器单元的存储器核芯。存储也包括被配置为辅助写入至存储器核芯的多个存储单元的第一组的第一写入辅助电路。额外地，存储器包括被配置为辅助写入至存储器核芯的多个存储器单元的第二组的第二写入辅助电路。设备包括至少一个处理器。设备也包括存储器阵列。存储器阵列包括具有多个存储器单元的存储器核芯。存储器也包括被配置为辅助写入至存储器核芯的多个存储器单元的第一组的第一写入辅助电路，以及被配置为辅助写入至存储器核芯的多个存储器单元的第二组的第二写入辅助电路。
具有提高写入能力存储器设备

[发明专利]具有减小的泄漏电流的供电电路-CN202180030712.6在审
发明人： P·拉杰;R·萨胡;S·K·古普塔;郑春明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F1/3287 文献下载
摘要：提出了用于减小泄漏电流的装置和方法。装置包括：开关电路，被配置为对电路块供电；延迟电路，被配置为延迟启用对电路块供电的开关电路，并且被配置为被断电；以及旁路电路，被配置为将延迟电路旁路来禁用为电路块供电的开关电路。方法包括由开关对电路块供电；将延迟电路断电；以及由旁路电路将延迟电路旁路来禁用为电路块供电的开关电路。
具有减小泄漏电流供电电路

[发明专利]用于双电源存储器的低功率且稳健的电平移位脉冲锁存器-CN202080075440.7在审
发明人： A·巴斯卡兰;R·萨胡;S·K·古普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供一种用于存储器的自定时存储器时钟信号的电平移位脉冲锁存器。电平移位脉冲锁存器包括系统功率域到存储器功率域电平移位器，该系统功率域到存储器功率域电平移位器将系统时钟信号反相并电平移位成系统时钟信号的反相版本。传输晶体管控制所述系统时钟信号的反相版本是否驱动存储器功率域锁存器以产生自定时存储器时钟信号。
用于双电源存储器功率稳健电平移位脉冲锁存器

[发明专利]自适应负位线写入辅助-CN201680054298.1有效
发明人： R·萨胡 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：具有写入辅助电路的SRAM，其对对模型化存储器单元的写入操作是通过释放负位线升压而成功的指示作出响应。所述写入辅助电路包括电容，其一个端子在写入操作期间连接到放电位线且使其另一端子浮置以在完成对所述模型化存储器单元的写入操作时终止负位线升压。
自适应负位线写入辅助

[发明专利]峰值电流降低的存储器核心加电-CN202080040751.X在审
发明人： S·N·莫汉蒂;R·萨胡;C·德塞 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种存储器具有多个核心，该多个核心根据从第一核心到最终核心的加电次序加电。在当前核心的核心电源电压根据加电次序加电时，响应于核心电源电压超过后继核心中的控制晶体管的阈值电压，触发加电次序中的后继核心的加电。
峰值电流降低存储器核心

[发明专利]打印作业时间和位置限制-CN202080021415.0在审
发明人： G·巴德瓦杰;M·桑纳戈纳普拉帕帕纳;R·萨胡;P·普拉罕;M·阿斯哈 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本文中所公开的示例涉及存储包括时间限制和位置限制的打印作业；接收检索用于打印的打印作业的请求；确定请求是否满足时间限制和位置限制；以及响应于确定请求满足时间限制和位置限制，提供用于打印的打印作业。
打印作业时间位置限制

[发明专利]不含稀土金属的硬磁体-CN201980032490.4在审
发明人： R·施廷肖夫;R·萨胡;C·费尔泽 -专利权人：马克斯·普朗克科学促进学会
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及硬磁体，其包含具有通式组成XaX’bYcZd的金属间化合物，其中X和X’彼此独立地表示具有未成对电子的3d过渡金属；Y是第5、8、9或10族的4d或5d过渡金属；Z是第13、14或15族的主族元素；a和d彼此独立地表示在0.1和2.0之间的数；和b和c彼此独立地表示在0.0和2.0之间的数；使得a+b+c+d在3.0和4.0之间。
稀土金属磁体

[发明专利]用于SRAM产出增强的面积高效的写入数据路径电路-CN201880064663.6在审
发明人： S·K·古普塔;P·拉杰;R·萨胡;M·纳拉西姆汉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：公开了一种存储器和在存储器中执行写入操作的方法。在本公开的一个方面，该存储器包括存储器单元、耦合到存储器单元的一对位线(BL；BLB)、多路复用器(404)、以及耦合到多路复用器的上拉电路(418)。多路复用器可以被配置为在写入操作期间选择耦合到存储器单元的一对位线。为了提高存储器单元的写入性能，上拉电路被配置为在写入操作期间选择一对位线中的哪个位线是非零位线，并且上拉电路被配置为将非零位线通过多路复用器的读取通路晶体管(rpO，rpbO)钳位到大约功率轨电压(VDD)。因此，上拉电路(418)可以在写入操作期间增加非零位线与零位线之间的电压差，并且从而减小由常规写入驱动器的升压电容消耗的面积和功率。
用于 sram 产出增强面积高效写入数据路径电路

[发明专利]字线调节方案-CN201780020747.5有效
发明人： R·萨胡;S·K·古普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：提供了存储器以及用于操作存储器的方法。该存储器包括具有晶体管的存储器单元和输出耦合到存储器单元的字线的字线驱动器。该字线驱动器调节字线的电压电平以补偿晶体管的参数。该方法包括断言字线电压以存取具有晶体管的存储器单元并调节字线电压以补偿晶体管的参数。提供了另一存储器。该存储器包括存储器单元和输出耦合到存储器单元的字线的字线驱动器。该字线驱动器基于字线的反馈来调节字线的电压电平。
字线存储器单元字线驱动器存储器补偿晶体管电压电平输出耦合字线电压晶体管操作存储器存取断言反馈

[发明专利]写入数据路径以减少负升压的电荷泄漏-CN201880019536.4在审
发明人： F·阿梅德;M·纳拉西姆汉;R·古普塔;P·拉杰;R·萨胡;陈薄弘;郑春明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种写入驱动器，该写入驱动器包括第一写入驱动器反相器，该第一写入驱动器反相器使数据信号反相以驱动第二写入驱动器晶体管的栅极。写入驱动器晶体管具有耦合到位线的端子和耦合到升压电容器的另一端子。用于第一写入驱动器反相器的接地在写入辅助时段期间浮置，以阻止来自升压电容器的升压电荷通过写入驱动器晶体管的泄漏。
写入驱动器反相器晶体管升压电容器数据信号升压耦合到电荷接地耦合反相浮置泄漏写入驱动

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