[发明专利]微型LED中表面重组损失的减少在审
| 申请号： | 201910258043.2 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN110323315A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·劳尔曼;史蒂芬·卢特根;大卫·黄 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于减少微型LED中的表面重组损失的系统及方法。在一些实施方案中，LED包括半导体层，所述半导体层包括有源发光层。所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于所述半导体层的材料的电子扩散长度的两倍。所述LED还包括钝化层，所述钝化层形成在所述半导体层的与所述光输出耦合表面相对的外表面上。所述钝化层包括介电材料，并且所述钝化层与所述有源发光层的一部分直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 钝化层 光输出耦合表面 表面重组 微型LED 发光层 电子扩散 介电材料 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其包括：半导体层，其包括有源发光层，其中所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于所述半导体层的材料的电子扩散长度的两倍；以及钝化层，其形成在所述半导体层的与所述光输出耦合表面相对的外表面上，其中：所述钝化层包括介电材料，并且所述钝化层与所述有源发光层的一部分直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于脸谱科技有限责任公司，未经脸谱科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910258043.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氮化物半导体发光元件
- 下一篇：用于电子设备的盖和制造方法
