[发明专利]微型LED中表面重组损失的减少

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

半导体层，其包括有源发光层，其中所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于所述半导体层的材料的电子扩散长度的两倍；以及

钝化层，其形成在所述半导体层的与所述光输出耦合表面相对的外表面上，其中：

所述钝化层包括介电材料，并且

所述钝化层与所述有源发光层的一部分直接接触。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述介电材料包括SiN_x、SiO_x、HfO_x、AlN_x或AlO_x中的至少一者。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体层具有台面形状，并且所述台面形状为平面形、垂直形、圆锥形、半抛物线形或抛物线形中的至少一者。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中：

所述台面形状为抛物线形，并且

所述光输出耦合表面的所述直径小于10μm。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体层包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体层包括III族磷化物或III族砷化物。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中所述电子扩散长度大于1μm。

8.一种方法，其包括：

将化学物质施加到发光二极管的半导体层的外表面，其中所述半导体层包括有源发光层，所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于所述半导体层的材料的电子扩散长度的两倍，并且所述半导体层的所述外表面与所述半导体层的所述光输出耦合表面相对；以及

随后在所述半导体层的所述外表面上沉积钝化层，其中：

所述钝化层包括介电材料，并且

所述钝化层与所述有源发光层的一部分直接接触。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述介电材料包括SiN_x、SiO_x、HfO_x、AlN_x或AlO_x中的至少一者。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述半导体层具有台面形状，并且所述台面形状为平面形、垂直形、圆锥形、半抛物线形或抛物线形中的至少一者。

11.如权利要求10所述的方法，其中:

所述台面形状为抛物线形，并且

所述光输出耦合表面的所述直径小于10μm。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述半导体层包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述半导体层包括III族磷化物或III族砷化物。

14.如权利要求8所述的方法，其中所述电子扩散长度大于1μm。

15.如权利要求8所述的方法，其中所述化学物质包括硫化铵。

16.如权利要求8所述的方法，其中所述化学物质包括ZnSe。

17.如权利要求8所述的方法，其中通过分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或金属有机气相外延(MOVPE)来施加所述化学物质。

18.如权利要求8所述的方法，其中所述介电材料在压力小于10毫巴的大气中进行沉积。