[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201910184027.3 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN110581077B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 陈建勋;吴俊毅;李建勋;刘重希 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/482
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明的实施例提供了形成封装件的方法,该方法包括将封装组件放置在载体上方,将封装组件密封在密封剂中,以及在封装组件上方形成电连接至封装组件的第一连接结构。形成第一连接结构包括:在封装组件上方形成电连接至封装组件的第一通孔组,在第一通孔组上方形成接触第一通孔组的第一导电迹线,在第一导电迹线上面形成接触第一导电迹线的第二通孔组,其中,第一通孔组和第二通孔组的每个均包括多个通孔,在第二通孔组上方形成接触第二通孔组的第二导电迹线,在第二导电迹线上面形成接触第二导电迹线的顶部通孔,以及在顶部通孔上方形成接触顶部通孔的凸块下金属(UBM)。本发明的实施例还提供了封装件。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种形成封装件的方法,包括:/n将封装组件放置在载体上方;/n将所述封装组件密封在密封剂中;以及/n在所述封装组件上方形成电连接至所述封装组件的第一连接结构,其中,形成所述第一连接结构包括:/n在所述封装组件上方形成电连接至所述封装组件的第一通孔组;/n在所述第一通孔组上方形成接触所述第一通孔组的第一导电迹线;/n在所述第一导电迹线上面形成接触所述第一导电迹线的第二通孔组,其中,所述第一通孔组和所述第二通孔组的每个均包括多个通孔;/n在所述第二通孔组上方形成接触所述第二通孔组的第二导电迹线;/n在所述第二导电迹线上面形成顶部通孔;以及/n在所述顶部通孔上方形成接触所述顶部通孔的凸块下金属(UBM)。/n
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