[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了形成封装件的方法，该方法包括将封装组件放置在载体上方，将封装组件密封在密封剂中，以及在封装组件上方形成电连接至封装组件的第一连接结构。形成第一连接结构包括：在封装组件上方形成电连接至封装组件的第一通孔组，在第一通孔组上方形成接触第一通孔组的第一导电迹线，在第一导电迹线上面形成接触第一导电迹线的第二通孔组，其中，第一通孔组和第二通孔组的每个均包括多个通孔，在第二通孔组上方形成接触第二通孔组的第二导电迹线，在第二导电迹线上面形成接触第二导电迹线的顶部通孔，以及在顶部通孔上方形成接触顶部通孔的凸块下金属(UBM)。本发明的实施例还提供了封装件。

技术领域

本发明涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，需要将更多功能集成至半导体管芯。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/O焊盘封装至更小的区域，并且I/O焊盘的密度随时间迅速上升。因此，半导体管芯的封装变得更加困难，这不利地影响了封装件的良率。

传统的封装技术可以分为两类。在第一类中，晶圆上的管芯在锯切之前封装。这种封装技术具有一些有利特征，诸如更高的产量和更低的成本。此外，需要较少的底部填充物或模塑料。然而，这种封装技术也存在缺点。由于管芯的尺寸变得越来越小，并且相应的封装件只能是扇入型封装件，其中，每个管芯的I/O焊盘限于相应管芯的表面正上方的区域。由于管芯的有限区域，I/O焊盘的数量由于I/O焊盘的间距的限制而受到限制。如果要减小焊盘的间距，则可能发生焊料桥接。此外，在固定的球尺寸要求下，焊球必须具有一定尺寸，这进而限制了可以封装在管芯表面上的焊球的数量。

在另一类封装件中，管芯在它们被封装之前从晶圆锯切。这种封装技术的一个有利特征是可以形成扇出封装件，这意味着管芯上的I/O焊盘可以再分布至比管芯更大的区域，并且因此可以增加封装在管芯的表面上的I/O焊盘的数量。该封装技术的另一有利特征是封装“已知良好管芯”，并且丢弃有缺陷的管芯，并且因此不会对有缺陷的管芯浪费成本和精力。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：将封装组件放置在载体上方；将所述封装组件密封在密封剂中；以及在所述封装组件上方形成电连接至所述封装组件的第一连接结构，其中，形成所述第一连接结构包括：在所述封装组件上方形成电连接至所述封装组件的第一通孔组；在所述第一通孔组上方形成接触所述第一通孔组的第一导电迹线；在所述第一导电迹线上面形成接触所述第一导电迹线的第二通孔组，其中，所述第一通孔组和所述第二通孔组的每个均包括多个通孔；在所述第二通孔组上方形成接触所述第二通孔组的第二导电迹线；在所述第二导电迹线上面形成顶部通孔；以及在所述顶部通孔上方形成接触所述顶部通孔的凸块下金属(UBM)。

根据本发明的实施例，还提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一封装组件和第二封装组件放置在载体上方，其中，所述第一封装组件具有比所述第二封装组件更大的顶视图区域，并且所述第一封装组件包括电连接件；将所述第一封装组件和所述第二封装组件密封在密封剂中；在所述第一封装组件的外围区域上方形成第一连接结构，其中，所述第一连接结构电连接至所述电连接件，并且所述第一连接结构包括：第一金属柱；第一顶部通孔，位于所述第一金属柱下面并且电连接至所述第一金属柱；第一导电迹线，位于所述第一顶部通孔下面；第一通孔组，位于所述第一导电迹线下面并且接触所述第一导电迹线，其中，所述第一通孔组包括多个第一通孔，并且所述第一通孔组具有第一轮廓区域；第二导电迹线，位于所述第一通孔组下面并且电连接至所述第一通孔组；以及第二通孔组，位于所述第二导电迹线下面并且接触所述第二导电迹线，其中，所述第二通孔组包括多个第二通孔，并且所述第二通孔组具有与所述第一轮廓区域重叠的第二轮廓区域。