[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910142892.1 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613534A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王潇;田志娟;孔云龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域、第二区域及隔离区域，所述第二区域通过所述第一区域与所述隔离区域相隔；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一区域和所述第二区域，且所述栅极结构位于所述第一区域部分的宽度大于位于所述第二区域部分的宽度。半导体器件的有源区与隔离结构的交界处往往会产生较大应力，使得出现通道效应；所述第一区域为有源区上容易出现所述通道效应的区域，将此位置的栅极结构宽度改变，使所述第一区域的沟道长度较长，较长的沟道长度避免源极与漏极之间贯通在一起，这样以来，漏电引起器件失效也就无法发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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