[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域、第二区域及隔离区域，所述第二区域通过所述第一区域与所述隔离区域相隔；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一区域和所述第二区域，且所述栅极结构位于所述第一区域部分的宽度大于位于所述第二区域部分的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构位于所述第一区域部分的宽度与位于所述第二区域部分的宽度比例为1.5-3。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于所述栅极结构的延伸方向上，所述栅极结构位于所述第一区域部分的长度值是位于所述第二区域部分的宽度值的1倍到2倍。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构包括：

在所述半导体衬底表面形成栅介质层；

在所述栅介质层表面形成栅极层；

在所述栅极层上形成图形化光刻胶层；

以所述图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极层以及所述栅介质层至露出所述半导体衬底层，形成所述栅极结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述图形化光刻胶层包括：形成第一图形化光刻胶层以及第二图形化光刻胶层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第一图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极层以及所述栅介质层至露出所述半导体衬底层，形成位于第二区域部分的栅极结构；

以所述第二图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极层以及所述栅介质层至露出所述半导体衬底层，形成位于第一区域部分的栅极结构。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形化光刻胶层以及第二图形化光刻胶层同步形成。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一图形化光刻胶层以及第二图形化光刻胶层分步形成。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，相邻位于所述第一区域的栅极结构在宽度方向上相连接或者不相连接。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成栅极结构之后，还包括，在栅极结构两侧的所述半导体衬底内形成源漏掺杂区。

11.一种半导体的结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域、第二区域及隔离区域，所述第二区域通过所述第一区域与所述隔离区域相隔；

栅极结构，所述栅极结构横跨所述第一区域和所述第二区域，且所述栅极结构位于所述第一区域部分的宽度大于位于所述第二区域部分的宽度。