[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201910093770.8 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110634880A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 筑山慧至;青木秀夫;川户雅敏;三浦正幸;福田昌利;本间庄一 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备:布线衬底;第一半导体衬底设置在布线衬底的上方,且在表面形成着第一半导体电路的存储器衬底;第二半导体衬底设置在第一半导体衬底与布线衬底之间,比第一半导体衬底厚,且在表面形成着第二半导体电路的存储器衬底;凸块设置在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间,将第一半导体衬底与第二半导体衬底电连接;第一粘接性树脂设置在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间,粘接第一半导体衬底与第二半导体衬底;密封树脂形成在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间、第二半导体衬底与布线衬底之间及第一半导体衬底与第二半导体衬底的周围,将第一半导体衬底与第二半导体衬底密封。 | ||
搜索关键词: | 衬底 半导体 布线 半导体电路 半导体装置 表面形成 存储器 粘接性树脂 密封树脂 凸块设置 导体 电连接 粘接 密封 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:/n布线衬底;/n第一半导体衬底,是设置在所述布线衬底的上方,且在表面形成着第一半导体电路的存储器衬底;/n第二半导体衬底,是设置在所述第一半导体衬底与所述布线衬底之间,比所述第一半导体衬底厚,且在表面形成着第二半导体电路的存储器衬底;/n凸块,设置在所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底间之间,将所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底电连接;/n第一粘接性树脂,设置在所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间,粘接所述第一半导体衬底与第二半导体衬底;及/n密封树脂,形成在所述第一半导体衬底与第二半导体衬底之间、所述第二半导体衬底与所述布线衬底之间、及所述第一半导体衬底与第二半导体衬底的周围,将所述第一半导体衬底与第二半导体衬底密封。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的