[发明专利]存储器件在审

专利信息
申请号: 201910011507.X 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN110021331A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 郭东勋;南尚完;尹治元 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C16/14;G11C16/08
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种存储器件,所述存储器件包括存储单元阵列和控制器,所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区,所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元。所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中,并且基于关于所述编程存储单元的信息,确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。
搜索关键词: 字线 编程存储单元 编程操作 存储器件 存储单元阵列 存储单元 控制器 沟道区 选择线 编程电压 数据存储 编程 穿过
【主权项】:
1.一种存储器件,所述存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区,所述多条字线和所述沟道区形成多个存储单元;以及控制器,所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中,并且基于关于所述编程存储单元的信息,确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。
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