[发明专利]存储器件在审
| 申请号: | 201910011507.X | 申请日: | 2019-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN110021331A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
| 发明(设计)人: | 郭东勋;南尚完;尹治元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/14;G11C16/08 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 字线 编程存储单元 编程操作 存储器件 存储单元阵列 存储单元 控制器 沟道区 选择线 编程电压 数据存储 编程 穿过 | ||
1.一种存储器件,所述存储器件包括:
存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区,所述多条字线和所述沟道区形成多个存储单元;以及
控制器,所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中,并且基于关于所述编程存储单元的信息,确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,关于所述编程存储单元的信息包括关于所述编程存储单元在所述存储单元阵列中的物理位置的信息。
3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,关于所述物理位置的所述信息包括以下信息中的至少一种:与所述编程存储单元共享所述沟道区的所述至少一条选择线的位置、所述编程字线的位置和所述沟道区的位置。
4.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述控制器将N位数据存储在所述编程存储单元中,其中,N为自然数。
5.根据权利要求4所述的存储器件,其中:
所述第一编程操作包括将所述编程电压作为第一编程电压输入到所述编程字线,以将所述N位数据的低位写入所述编程存储单元,
所述第二编程操作包括将第二编程电压输入到所述编程字线,以将所述N位数据的高位写入所述编程存储单元。
6.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述控制器基于所述编程字线与所述至少一条选择线之间的字线的数目来确定所述第一编程电压的大小。
7.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述控制器基于形成所述编程存储单元的所述沟道区的位置来确定所述第一编程电压的大小。
8.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述控制器基于与所述编程存储单元共享所述沟道区的所述至少一条选择线的位置来确定所述第一编程电压的大小。
9.根据权利要求5所述的存储器件,其中:
所述存储单元阵列包括标志单元,所述标志单元指示存储在所述编程存储单元中的数据的位数,
所述控制器基于所述第一编程电压的大小来确定用于读取所述标志单元的信息的读取电压的大小。
10.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述控制器在所述第一编程操作与所述第二编程操作之间读取写入所述编程存储单元的所述低位的值,并且基于所述第一编程电压的大小来确定用于读取所述低位的所述值的读取电压的大小。
11.根据权利要求4所述的存储器件,其中:
所述第一编程操作包括将第一编程电压输入到所述编程字线,以将所述N位数据写入所述编程存储单元,
所述第二编程操作包括将第二编程电压输入到所述编程字线,以将所述N位数据写入所述编程存储单元。
12.根据权利要求11所述的存储器件,其中,所述控制器基于所述编程字线与所述至少一条选择线之间的字线的数目来确定所述第一编程电压的大小。
13.根据权利要求11所述的存储器件,其中,所述控制器基于提供所述编程存储单元的所述沟道区的位置来确定所述第一编程电压的大小。
14.根据权利要求11所述的存储器件,其中,所述控制器基于与所述编程存储单元共享所述沟道区的所述至少一条选择线的位置来确定所述第一编程电压的大小。
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