[发明专利]存储器件在审

专利信息
申请号: 201910011507.X 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN110021331A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 郭东勋;南尚完;尹治元 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C16/14;G11C16/08
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 字线 编程存储单元 编程操作 存储器件 存储单元阵列 存储单元 控制器 沟道区 选择线 编程电压 数据存储 编程 穿过
【说明书】:

提供了一种存储器件,所述存储器件包括存储单元阵列和控制器,所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区,所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元。所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中,并且基于关于所述编程存储单元的信息,确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。

相关申请的交叉引用

通过引用将于2018年1月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0002123的全部内容并入本文。

技术领域

实施例涉及一种存储器件。

背景技术

随着对具有相对高容量但具有小尺寸的存储器件的需求增加,已经积极地对具有垂直堆叠的存储单元的存储器件进行了研究。随着存储器件的集成度提高,垂直堆叠的存储单元的数目也已增加。因此,已经提出了可以防止存储单元之间的干扰增大的各种方法。

发明内容

根据一方面,一种存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区,所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元;以及控制器,所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中,并且基于关于所述编程存储单元的信息,确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。

根据一方面,一种存储器件包括:第一存储区域,所述第一存储区域包括多个第一存储单元;第二存储区域,所述第二存储区域包括多个第二存储单元,所述多个第二存储单元中的每个第二存储单元存储一位数据;以及控制器,所述控制器将N位数据存储在所述第一存储区域的第一编程存储单元中,并且将所述N位数据划分成每个位的数据,以存储在所述第二存储区域的N个第二编程存储单元中,其中,N为自然数。所述第二编程存储单元在所述第二存储区域中的每个位置对应于所述第一编程存储单元在所述第一存储区域中的位置。

根据一方面,一种存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括沿垂直于衬底的上表面的方向堆叠在所述衬底上的多个存储单元;以及控制器,所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作,将N位数据存储在所述多个存储单元中,其中,N为自然数。所述控制器在所述第一编程操作中将不同的编程电压输入到所述多个存储单元中的至少一部分存储单元中,使得所述多个存储单元中的所述至少一部分存储单元具有不同的阈值电压分布。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例,特征对于本领域技术人员将变得显而易见,其中:

图1示出了根据示例实施例的存储器件的示意性框图;

图2示出了根据示例实施例的包括存储器件中的存储单元阵列的视图;

图3示出了根据示例实施例的存储器件的结构的示意图;

图4A至图5B示出了根据示例实施例的存储器件的编程方法中的操作的视图;

图6至图8示出了根据示例实施例的存储器件的视图;

图9A、图9B、图10A和图10B示出了根据示例实施例的包括在存储器件中的存储单元的阈值电压分布的图;

图11示出了根据示例实施例的存储器件的结构的示意图;

图12示出了根据示例实施例的存储器件的视图;

图13示出了根据示例实施例的存储器件的结构的示意图;

图14示出了根据示例实施例的存储器件的视图;

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