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[发明专利]三维存储器及其编程方法-CN202210614831.2在审
发明人：魏镜;王瑜;栗山正男 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其编程方法，三维存储器包括位于多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，所述方法包括：将选中的所述存储串除编程存储单元之外的多个存储单元划分成多个非编程存储单元组；以及根据各个非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离，向各个非编程存储单元组施加导通电压；其中，非编程存储单元组与编程存储单元的相对距离越大，施加到非编程存储单元组的导通电压越小。通过上述三维存储器的编程方法，可在一定程度上减小非编程存储单元的导通电压的干扰。
三维存储器及其编程方法

[发明专利]一种存储单元的编程方法-CN201511006136.4在审
发明人：张赛;张建军;刘江 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法，该包括接收编程指令；根据编程指令向存储单元施加编程电压，并且向存储单元的P型阱上施加负电压；检验存储单元的当前状态是否为已经编程成功，若是，则结束当前编程操作，否则改变施加到存储单元P型阱上的电压值，直至编程成功。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法，在接收到编程指令后，根据编程指令向存储单元施加编程电压，并且向存储单元的P型阱上施加负电压，通过在每次对所述存储单元编程失败后，改变施加到存储单元P型阱上的电压值，提高了对所述存储单元的编程速度。
一种存储单元编程方法

[发明专利]一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质-CN201810555032.6在审
发明人：贺元魁;潘荣华;马思博 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作；若所述执行编程操作的总次数小于设定阈值，则对编程区域中设定等级的存储单元进行编程校验；若所述执行编程操作的总次数大于等于设定阈值，则对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的所有等级的存储单元进行编程校验；当编程区域的所有存储单元的校验结果均为通过时，编程过程结束，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的其他存储单元执行编程操作的步骤通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。
存储单元编程编程区域校验编程操作编程过程校验结果阈值电压抬升返回

[发明专利]一种存储单元的编程方法、装置、电子设备及存储介质-CN201810554755.4在审
发明人：贺元魁;潘荣华;马思博 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法、装置及电子设备，该方法包括：对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作；对设定存储单元中除编程校验通过的存储单元进行编程校验；若编程校验均通过，则对所述设定存储单元之外的存储单元继续进行编程操作，否则返回对编程区域中除编程校验通过的存储单元之外的存储单元进行一次编程操作的步骤。通过采用上述技术方案实现了快速将存储单元的阈值电压抬升到较高区域，节省了编程时间。
存储单元编程校验编程区域一次编程装置及电子设备编程操作阈值电压抬升返回

[发明专利]存储器编程方法及存储器-CN200910009657.3有效
发明人：廖惇雨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-02-02 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器编程方法及存储器，存储器包括多列存储单元，每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第n列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程，n为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程，则施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，否则施加对应于第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压
存储器编程方法

[发明专利]在闪存装置中编程的方法-CN200810000296.1有效
发明人：卢由钟;朴世泉 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种在闪存装置中编程方法。该方法包括：通过将第一存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到偶数位线的第一存储单元进行编程；通过第一验证电压验证第一存储单元是否被编程，并在第一存储单元未被编程的情况下使用比第一存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第一存储单元进行编程，通过将第二存储单元的第一编程电压施加到字线，对耦合到奇数位线的第二存储单元进行编程，以及通过高于第一验证电压的第二验证电压验证第二存储单元是否被编程，并且在第二存储单元未被编程的情况使用比第二存储单元的第一编程电压以步长电压顺序增加的编程电压对第二存储单元进行编程
闪存装置编程方法

[发明专利]检测伪编程单元的方法和使用其对伪编程单元编程的方法-CN200710129990.9无效
发明人：朴镇寿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种检测伪编程单元的方法包括检测被编程的第一存储单元中的第二存储单元。第二存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第二存储单元中检测第三存储单元。第三存储单元的阈值电压小于第二校验电压。一种对非易失存储器件中的单元进行编程的方法包括对选择的存储单元执行编程操作。在执行编程操作的存储单元中检测第一存储单元。第一存储单元的阈值电压高于第一校验电压。在第一存储单元中检测伪编程单元。伪编程单元的阈值电压小于第二校验电压。进而，对伪编程单元进行编程。
检测编程单元方法使用

[发明专利]一种存储单元的编程方法-CN201610532526.3在审
发明人：薛子恒;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：采用初始编程电压对当前地址对应的当前存储单元进行编程；对当前存储单元进行编程校验，检验所述当前存储单元的当前状态是否为已经编程成功，若是，则结束当前存储单元的编程操作；否则，将基于当前编程电压阶梯式递增的新编程电压作为当前编程电压，对所述当前存储单元施加当前编程电压，并返回执行所述对当前存储单元进行的编程校验操作。本发明实施例提供的存储单元的编程方法，通过采用阶梯式递增的编程电压，提高了电子比较活跃的存储单元的数据保持力。
一种存储单元编程方法

[发明专利]一种NOR Flash的编程方法和编程装置-CN201710769542.9在审
发明人：陈晓璐 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种NOR Flash的编程方法和编程装置，方法包括：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接；对N个存储单元中其它存储单元进行编程；若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接；对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。
存储单元编程电荷泵预设位线存储单元编程输出端电压编程装置输出端成功预设电压断开成功率保证检测

[发明专利]闪存装置的编程方法-CN200810002991.1无效
发明人：李熙烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作闪存装置的方法，包括施加第一编程电压Vp1至多个存储单元的字线。测量存储单元的阈值电压以得到存储单元的第一阈值电压分布。施加第二编程电压Vp2至已利用第一编程电压Vp1编程的存储单元的字线。测量已利用第二编程电压Vp2编程的存储单元的阈值电压，以得到存储单元的第二阈值电压分布。无论该已利用第二编程电压编程的存储单元是否已适当地编程均作成一判定。若存储单元被判定为已适当地编程时，则定义第二编程电压作为结束偏压以编程操作。若存储单元被判定为没有适当地编程时，则存储单元使用高于第二编程电压的第三编程电压编程。
闪存装置编程方法

[发明专利]一种存储单元的编程方法-CN201511008461.4有效
发明人：张赛;张建军;刘江;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：接收编程指令，基于存储单元的阈值电压判断存储单元当前所处的编程操作阶段；根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位，向存储单元施加编程电压。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法，在接收到编程指令后，判断存储单元当前所处的编程操作阶段，然后根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位，向存储单元施加编程电压。通过给不同的编程操作阶段配备专门的电压调节档位，提高了存储单元的编程速度且降低了芯片的老化速度。
一种存储单元编程方法

[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统-CN201710826510.8有效
发明人：古紹泓;林大卫;程政宪;李致维;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种编程非易失性存储器的方法及一种存储器系统。非易失性存储器的多个存储单元的每一存储单元存储具有至少2位的数据。此方法包括以下步骤。提供至少一编程脉冲以编程多个存储单元的一目标存储单元。提供至少一编程验证脉冲以验证目标存储单元是否为编程成功。判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于编程验证电压。当目标存储单元的阈值电压大于或等于编程验证电压，设定目标存储单元为编程成功。接着，对编程成功的存储单元执行一再验证程序。再验证程序包括判断目标存储单元的阈值电压是否大于或等于一再验证电压。
编程非易失性存储器方法存储器系统

[发明专利]一种存储单元的编程方法-CN201610529819.6在审
发明人：潘荣华;薛子恒 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储单元的编程方法，该方法包括：根据编程指令对当前编程地址对应的存储单元进行编程操作；对所述存储单元进行编程校验，检验所述存储单元的当前状态是否为已经编程成功，若是，则结束当前编程操作，否则增大编程电压的脉冲宽度，并返回执行所述对当前编程地址对应的存储单元进行的编程操作，直至编程成功。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法，当一个存储单元经过第一次编程操作没有编程成功时，再对其进行编程时通过随着编程次数的增加不断增大编程电压的脉冲宽度，实现了对存储单元的快速编程，提高了编程速度。
一种存储单元编程方法

[发明专利]一种编程监控的方法-CN201410505287.3有效
发明人：胡洪;张赛;张建军;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种编程监控的方法，该编程监控方法包括：获取闪存阵列中第一存储单元的编程性能参数；当所述第一存储单元的编程性能参数超过预设阈值时，对目标存储单元的编程配置参数进行调节，所述目标存储单元包括所述第一存储单元和/或所述第一存储单元所在的闪存区块中的其余存储单元，所述闪存阵列包括至少一个闪存区块；根据调节后的编程配置参数，对所述目标存储单元进行编程控制。本发明通过调节存储单元的编程配置参数，使存储芯片保持高性能的编程能力，具有在存储芯片编程效率衰退时及时调整、缩短编程时间、提高编程效率的优势，以及可多次调整编程配置参数，达到延长存储芯片使用寿命、优化编程性能的有益效果
存储单元编程配置目标存储单元编程编程性能存储芯片编程效率闪存区块闪存阵列监控编程控制编程能力使用寿命阈值时预设衰退优化

[发明专利]对存储单元编程的方法-CN200510115563.6有效
发明人：李明修;吴昭谊;徐子轩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种对一个或多个存储单元编程的方法，这些存储单元需要由两端来操作，在验证每个存储单元的两端，以确认编程的存储单元端后，将一个编程电压提供给这些确认编程的存储单元的第一端；另一个验证过程则是通过每个存储单元的两端确认编程的存储单元端来执行，接着，将一个编程电压提供给这些确认编程的存储单元的第二端。这些验证两端、对第一端编程、再验证两端，以及对第二端编程的步骤将持续直到每个存储单元的两端皆被编程至目标编程电压为止，其中此目标编程电压具有多个电压电平。
存储单元编程方法

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