[发明专利]一种正偏BE结晶体管变容电路有效

专利信息
申请号: 201610444327.7 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN106129127B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 熊祥正;薛力源;廖成;高明均;罗杰;郭晓东 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01L29/93 分类号: H01L29/93
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 张澎
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种正偏BE结晶体管变容电路,偏置电压正极接通直器,偏置电压正极负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。本发明电路结构简单,成本低,具有大变容比、宽调谐的特性,有效解决了单个晶体管变容结构在微波低频段MMIC中难以实现宽调谐的难题。本发明的变容结构能用于多种晶体管,其偏置电压、变容范围、电容值及变容比可以在很大的范围内调整,有利于MMIC工艺的实现,具有很大的实际应用价值。
搜索关键词: 一种 be 结晶体 管变容 电路
【主权项】:
1.一种正偏BE结晶体管变容电路,其特征在于,包括偏置电压端口、通直器、限流电阻、第一电容、晶体管、第二电容、限直器及应用端口;偏置电压正极接通直器,偏置电压负极接地;通直器,限流电阻,第一电容,限直器依次串联连接;晶体管的集电极和发射极接地,其基极连接在限流电阻与第一电容之间;第二电容一端接地,另一端连接在第一电容与限直器之间;限直器另一端接应用端口。
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