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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]绝缘体上硅（SOI）技术中的横向装置-CN201980026586.X在审
发明人：梁晴晴;F·卡罗博兰特;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·梅内戈里;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体装置。一个示例半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。
绝缘体 soi 技术中的横向装置

[发明专利]背硅化可变电容器器件-CN201980026096.X在审
发明人： S·格科特佩里;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·V·科勒夫;梁晴晴;P·梅内戈里;F·卡罗博兰特;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体器件。一个示例半导体器件，大体上包括半导体区域、绝缘层、第一端子、以及耦合到第一端子的第一非绝缘区域，该绝缘层设置在第一非绝缘区域与半导体区域之间。在某些方面中，绝缘层相邻于半导体区域的第一侧设置。在某些方面中，该半导体器件还包括第二端子和第一硅化物层，该第一硅化物层耦合到第二端子并且相邻于半导体区域的第二侧设置，该第一侧和第二侧是半导体区域的相对侧。
背硅化可变电容器器件

[发明专利]用于transcap面积优化的布局技术-CN201880011020.5有效
发明人： F·A·马里诺;P·梅内戈里;N·卡尼克;F·卡罗博兰特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括半导体区域、设置在半导体区域上方的绝缘层、以及设置在绝缘层上方的第一非绝缘区域。在某些方面，第二非绝缘区域邻近半导体区域设置，控制区域邻近半导体区域设置，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压来调节。在某些方面，第一非绝缘区域设置在半导体区域的第一部分和半导体区域的第二部分上方，并且半导体区域的第一部分和第二部分分别邻近控制区域或第二非绝缘区域的第一侧和第二侧设置。
用于 transcap 面积优化布局技术

[发明专利]可变电容器平带电压工程-CN201880086382.0在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区，绝缘层和第一非绝缘区，该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面，半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区，第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面，半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。
可变电容器电压工程

[发明专利]具有降低的控制电压和改善的品质因数的TRANSCAP器件架构-CN201880041245.5在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;梁晴晴;F·卡罗博兰特;P·梅内戈里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体电容器。半导体电容器通常包括绝缘层和与绝缘层的第一侧相邻布置的半导体区域。半导体电容器还包括与绝缘层的第二侧相邻布置的第一非绝缘区域。在某些方面，半导体区域可以包括第二非绝缘区域，其中半导体区域包括具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一个的至少两个区域，并且其中该至少两个区域之间的一个或多个结被布置在第一非绝缘区域的上方或下方。
绝缘层半导体电容器半导体区域非绝缘区域相邻布置掺杂类型掺杂

[发明专利]使用阈值注入区域的半导体可变电容器-CN201880028706.5在审
发明人：李夏;F·A·马里诺;梁晴晴;F·卡罗博兰特;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面总体上涉及使用阈值电压注入区域实现的半导体可变电容器及其制造技术。例如，半导体可变电容器总体上包括设置在第一半导体区域上方的第一非绝缘区域、设置在第一半导体区域上方的第二非绝缘区域以及插入在第一非绝缘区域与第一半导体区域之间并且与第二非绝缘区域相邻设置的阈值电压(Vt)注入区域。在某些方面，半导体可变电容器还包括设置在第一半导体区域上方的控制区域，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压而被调节。
非绝缘区域半导体区域半导体可变电容器控制区域注入区域阈值电压控制电压相邻设置电容施加配置制造

[发明专利]可变电容器串联调谐配置-CN201780056495.1在审
发明人： P·梅内戈里;L·艾里什;F·A·马里诺 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：讨论了用于调谐谐振网络的技术。一种用于利用谐振网络控制输出参数的示例装置包括差分串联电路，该差分串联电路具有在差分串联电路的第一分支上的第一可变电抗元件以及在差分串联电路的第二分支上的第二可变电抗元件，使得谐振网络被耦合到输出电路。该装置包括：公共控制元件，可操作地被耦合到第一可变电抗元件和第二可变电抗元件；以及控制电路，可操作地被耦合到输出电路以及公共控制元件，并且被配置为基于输出电路中的输出参数的值来改变谐振网络的阻抗。
可变电抗元件串联电路谐振网络输出电路耦合到调谐公共控制元件可操作地控制输出参数可变电容器控制电路输出参数阻抗配置串联

[发明专利]基于掩埋氧化物工艺的可变电容器-CN201780052193.7在审
发明人： F·卡罗博兰特;F·A·马里诺 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种基于掩埋氧化物工艺的半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括耦合到第一非绝缘区域的第一导电焊盘和耦合到第二非绝缘区域的第二导电焊盘。第二非绝缘区域可以耦合到半导体区域。电容器还可以包括耦合到第一半导体区域的第一控制区域，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域的控制电压而被调节。电容器还包括设置在半导体区域下方的绝缘体区域，其中第一非绝缘区域的至少一部分通过绝缘体区域与第二非绝缘区域分离，使得第一导电焊盘与第二导电焊盘电隔离。
非绝缘区域导电焊盘耦合到半导体区域半导体可变电容器电容器绝缘体区域掩埋氧化物控制区域导电焊盘电可变电容器控制电压电容隔离施加配置

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