[发明专利]用于半导体封装的结构和方法在审

专利信息
申请号: 201880072031.4 申请日: 2018-10-04
公开(公告)号: CN111316430A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 斯里尼瓦萨恩·K·科杜里 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在一种半导体封装结构(100)中,裸片(102)包含接合焊盘(126)和设置在所述裸片(102)上的第一金属层结构(106、107)。所述第一金属层结构(106、107)具有第一宽度(109、128)。在所述第一金属层结构中,第一金属层(107)电耦合到所述接合焊盘(124)。所述半导体封装结构(100)还包含围绕所述第一金属层结构(106、107)的侧面的第一光敏材料(104),以及设置在所述第一金属层结构(106、107)上方和所述第一光敏材料(104)的一部分上方的第二金属层结构(112、114)。所述第二金属层结构(112、114)电耦合到所述第一金属层结构(106、107)。所述第二金属层结构(112、114)具有第二宽度(119),所述第二宽度大于所述第一宽度(109、128)。另外,所述半导体封装结构(100)包含围绕所述第二金属层结构(112、114)的侧面的第二光敏材料(110)。
搜索关键词: 用于 半导体 封装 结构 方法
【主权项】:
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