[发明专利]用于半导体封装的结构和方法

说明书

在一种半导体封装结构(100)中，裸片(102)包含接合焊盘(126)和设置在所述裸片(102)上的第一金属层结构(106、107)。所述第一金属层结构(106、107)具有第一宽度(109、128)。在所述第一金属层结构中，第一金属层(107)电耦合到所述接合焊盘(124)。所述半导体封装结构(100)还包含围绕所述第一金属层结构(106、107)的侧面的第一光敏材料(104)，以及设置在所述第一金属层结构(106、107)上方和所述第一光敏材料(104)的一部分上方的第二金属层结构(112、114)。所述第二金属层结构(112、114)电耦合到所述第一金属层结构(106、107)。所述第二金属层结构(112、114)具有第二宽度(119)，所述第二宽度大于所述第一宽度(109、128)。另外，所述半导体封装结构(100)包含围绕所述第二金属层结构(112、114)的侧面的第二光敏材料(110)。

技术领域

本公开涉及一种用于半导体封装的方法和结构。

背景技术

随着电子设备的日益普及和功能的发展，例如晶体管和集成电路(IC)之类的半导体装置的大小和成本正在降低。随着半导体装置大小的减小、功率和电流密度增加，这可能导致高温和过早的封装故障。随着裸片收缩，封装中的电流密度增加。裸片大小的减小可能导致与裸片封装相关的问题，例如电迁移和导线断裂。

发明内容

至少一个半导体封装结构包含：裸片，所述裸片包含接合焊盘；设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构具有第一宽度，所述第一金属层结构包含第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘。所述半导体封装结构还包含：第一光敏材料，所述第一光敏材料围绕所述第一金属层结构的侧面；以及设置在所述第一金属层结构上方和所述第一光敏材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，所述第二金属层结构具有第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。另外，所述半导体封装结构包含第二光敏材料，所述第二光敏材料围绕所述第二金属层结构的侧面。

至少一个半导体封装结构包含：裸片，所述裸片包含接合焊盘；设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构包含第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘；以及所述第一金属层，所述第一金属层具有第一宽度。所述半导体封装结构还包含：第一绝缘材料，所述第一绝缘材料围绕所述第一金属层结构的侧面；以及设置在所述第一金属层结构上方和所述第一绝缘材料的至少一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层结构，所述第二金属层结构具有平面化表面，所述第二金属层结构具有第二宽度，其中所述第二金属层结构的所述第二宽度大于所述第一金属层的所述第一宽度。另外，所述半导体封装结构包含：第二绝缘材料，所述第二绝缘材料围绕所述第二金属层结构的侧面；以及设置在所述第二金属层结构的所述平面化表面上的板层，其中所述板层在所述第二绝缘材料的顶表面上方延伸。

至少一个实例半导体封装结构包含：裸片，所述裸片包括接合焊盘；以及设置在所述裸片上的第一金属层结构，所述第一金属层结构包含第一金属层，所述第一金属层电耦合到所述接合焊盘。所述半导体封装结构还包含：第一绝缘材料，所述第一绝缘材料围绕所述第一金属层结构的侧面；以及设置在所述第一金属层结构上方和所述第一绝缘材料的一部分上方的第二金属层结构，所述第二金属层结构电耦合到所述第一金属层，其中所述第二金属层结构延伸到超出所述裸片的边缘。另外，所述半导体封装结构包含第二绝缘材料，所述第二绝缘材料围绕所述第二金属层结构的侧面。