[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880055698.3 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111066152B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 箕谷周平;梶爱子;海老原康裕;永冈达司;青井佐智子 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
具备：第1导电型的由碳化硅构成的第1电流分散层(13)，形成在n |
||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880055698.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
