[发明专利]低泄漏场效应晶体管在审
| 申请号： | 201880037789.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110709996A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 阿比吉特·保罗;西蒙·爱德华·威拉德;阿拉因·迪瓦莱 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/10 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在存在边缘晶体管现象的情况下呈现低泄漏的FET设计。实施方式包括nFET设计，其中通过在栅极结构的至少一部分内形成额外P+注入区来增加nFET的覆盖在边缘晶体管上的栅极结构的功函数MF，从而使边缘晶体管的Vt增加至可以超过nFET的中央传导沟道的Vt的水平。在一些实施方式中，修改nFET的栅极结构以使边缘晶体管的有效沟道长度相对于FET的中央传导沟道的长度增加或“扩展”。还公开了改变覆盖在边缘晶体管上的栅极结构的功函数MF的其他方法。该方法可以适于通过反转或替代材料类型来制造pFET。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘晶体管 栅极结构 功函数 沟道 传导 有效沟道长度 长度增加 替代材料 低泄漏 注入区 反转 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘体上硅衬底上制造的FET，所述FET包括：/n(a)隔离的硅岛；/n(b)覆盖在所述隔离的硅岛上并且具有中心长度L的栅极结构，所述栅极结构具有各自具有相关联的功函数Φ
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