[发明专利]经屏蔽的扇出型封装半导体装置及制造方法在审
| 申请号： | 201880033776.X | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110663113A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边住友;草薙京叶 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L23/29;H01L23/498 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明技术的若干方面涉及具有集成式屏蔽件以防止受到电磁干扰的扇出型封装半导体装置及此类装置的制造方法。所述屏蔽件可通过在重布结构上形成导电壁并将导电盖安置到包封物的上部表面上而建构成。所述导电壁与所述导电盖彼此电连接。通过直接在所述重布结构上形成所述导电壁并将所述导电盖单独地安置到所述包封物的上部表面上，可使用高效且有成本效益的晶片级或面板级处理技术容易地形成电磁屏蔽件。因此，根据本发明技术的半导体装置的若干实施例屏蔽半导体裸片的集成电路免受电磁干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 导电壁 导电盖 半导体装置 电磁干扰 上部表面 包封物 屏蔽件 重布 半导体裸片 电磁屏蔽件 扇出型封装 成本效益 单独地 电连接 集成式 晶片级 安置 屏蔽 集成电路 地形 制造 | ||
【主权项】：
1.一种封装半导体装置，其包括：/n重布结构，其具有第一侧、第二侧、具有从所述第一侧到所述第二侧的厚度的介电形成物、在所述重布结构的所述第一侧处的裸片触点、在所述重布结构的所述第一侧处的至少一个屏蔽件触点，及在所述重布结构的所述第二侧处的球垫；/n半导体裸片，其安装在所述重布结构的所述第一侧上，其中所述半导体裸片具有外周界；/n导电壁，其在所述重布结构的所述第一侧上、与所述半导体裸片的所述外周界侧向间隔开，其中所述导电壁电耦合到所述屏蔽件触点，且围绕所述半导体裸片的所述外周界的至少一部分延伸；/n包封物，其覆盖所述半导体裸片的至少一部分且相对于所述半导体裸片的所述外周界侧向朝外延伸；及/n导电盖，其附接到所述包封物且电耦合到所述导电壁，使得所述导电壁及所述导电盖形成被配置成防止所述半导体裸片受到电磁干扰的屏蔽件。/n
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