[发明专利]经屏蔽的扇出型封装半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种封装半导体装置，其包括：

重布结构，其具有第一侧、第二侧、具有从所述第一侧到所述第二侧的厚度的介电形成物、在所述重布结构的所述第一侧处的裸片触点、在所述重布结构的所述第一侧处的至少一个屏蔽件触点，及在所述重布结构的所述第二侧处的球垫；

半导体裸片，其安装在所述重布结构的所述第一侧上，其中所述半导体裸片具有外周界；

导电壁，其在所述重布结构的所述第一侧上、与所述半导体裸片的所述外周界侧向间隔开，其中所述导电壁电耦合到所述屏蔽件触点，且围绕所述半导体裸片的所述外周界的至少一部分延伸；

包封物，其覆盖所述半导体裸片的至少一部分且相对于所述半导体裸片的所述外周界侧向朝外延伸；及

导电盖，其附接到所述包封物且电耦合到所述导电壁，使得所述导电壁及所述导电盖形成被配置成防止所述半导体裸片受到电磁干扰的屏蔽件。

2.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述导电壁具有在所述重布结构的所述第一侧处的底部表面、与所述重布结构的所述第一侧间隔开的顶部表面、面朝所述半导体裸片的内表面及背对所述半导体裸片的外表面；

所述包封物具有第一部分及第二部分，其中所述第一部分具有与所述导电壁的所述顶部表面共面的上部表面且所述第一部分在所述半导体裸片与所述导电壁的所述内表面之间侧向地延伸，且其中所述第二部分从所述导电壁的所述外表面侧向朝外延伸；且

所述导电盖直接附接到所述导电壁的所述顶部表面及所述包封物的所述上部表面。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述重布结构为多级重布结构，其进一步包括嵌入所述第一侧与所述第二侧之间的所述介电形成物中的屏蔽组件，其中所述屏蔽组件在所述半导体裸片下方且电耦合到所述导电壁及所述导电盖。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述导电盖包括金属板。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述导电盖包括沉积在所述导电壁的所述顶部表面及所述包封物的所述上部表面上的至少一个金属层。

6.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

第二半导体裸片，其在与所述第一半导体裸片侧向间隔开的位置处附接到所述重布结构的所述第一侧；及

导电内分区，其形成于所述重布结构的所述第一侧上且电耦合到所述屏蔽件触点，其中所述导电内分区在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述包封物具有第一部分及第二部分，所述第一部分在所述导电壁内，所述第二部分从所述导电壁侧向朝外延伸，且所述导电内分区将所述包封物的所述第一部分划分成至少部分地覆盖所述第一半导体裸片的第一区段，及至少部分地覆盖所述第二半导体裸片的第二区段。

8.一种封装半导体装置，其包括：

重布结构，其具有第一侧、第二侧、具有从所述第一侧到所述第二侧的厚度的介电形成物、在所述重布结构的所述第一侧处的裸片触点、在所述重布结构的所述第一侧处的至少一个屏蔽件触点，及在所述重布结构的所述第二侧处的球垫；

半导体裸片，其安装在所述重布结构的所述第一侧上，其中所述半导体裸片包含外周界；

导电屏蔽结构，其具有在所述重布结构的所述第一侧上的导电侧壁及电耦合到所述侧壁的导电盖，其中所述侧壁电耦合到所述屏蔽件触点；

包封物，其具有第一部分及第二部分，所述第一部分具有在所述半导体裸片上面的上部表面，且所述第一部分相对于所述半导体裸片的所述外周界侧向朝外延伸到所述导电屏蔽结构的所述侧壁，所述第二部分从所述导电屏蔽结构的所述侧壁侧向朝外延伸，且所述导电盖附接到所述第一部分的所述上部表面。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述包封物的所述第一部分及所述第二部分材料相同。