[发明专利]存储单元、存储器件以及存储单元的操作方法在审
| 申请号： | 201880001356.3 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109219884A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王文轩;沈健;李运宁 | 申请（专利权）人： | 深圳市为通博科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;G11C17/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 钭飒飒;刘芳 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储单元、存储器件及存储单元的操作方法，该存储单元，包括：反熔丝晶体管，其包括栅极、源极和漏极，所述反熔丝晶体管由金属氧化物半导体场效应晶体管构成；以及选通管，所述选通管与所述反熔丝晶体管的栅极电连接，所述栅极与源极分别构成第一反熔丝电容的两端，所述栅极与漏极分别构成第二反熔丝电容的两端。从而可以减小反熔丝结构的面积，提高存储单元的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 反熔丝 晶体管 存储器件 选通管 电容 漏极 源极 金属氧化物半导体场效应晶体管 存储容量 电连接 减小 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，包括：反熔丝晶体管，其包括栅极、源极和漏极，所述反熔丝晶体管由金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET构成；以及选通管，所述选通管与所述反熔丝晶体管的栅极电连接，所述栅极与源极分别构成第一反熔丝电容的两端，所述栅极与漏极分别构成第二反熔丝电容的两端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
