[实用新型]场效应管器件有效
| 申请号： | 201821756811.4 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN208835069U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏;陈面国;蔡宗叡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提出一种场效应管器件，涉及半导体生产技术领域。所述场效应管器件包括：衬底；阱区，位于所述衬底中，注入有第一型态的离子，所述阱区包含沟道区、轻掺杂区、源区与漏区；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构位于沟道区正上方；其中，沟道区包括反态掺杂区，所述反态掺杂区注入有与第一型态相反型态的反态离子，且相对于所述沟道区的中心轴对称分布。本实用新型提供的场效应管器件的沟道区包括注入有反态离子的反态掺杂区，该反态掺杂区相对于沟道区的中心轴对称分布，使得器件的导电沟道变宽，减少了电子形成热载流子的机率，从而降低器件的热载流子注入效应，使得器件的饱和电流增加，阈值电压降低，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 场效应管器件 掺杂区 衬底 离子 本实用新型 中心轴对称 栅极结构 阱区 热载流子注入效应 半导体生产技术 饱和电流 导电沟道 降低器件 器件性能 轻掺杂区 热载流子 阈值电压 变宽 漏区 源区 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管器件，其特征在于，所述器件包括：衬底；阱区，位于所述衬底中，注入有第一型态的离子，所述阱区包含沟道区、轻掺杂区、源区与漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述沟道区两侧，所述轻掺杂区也位于所述沟道区两侧；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构包括栅氧化层和位于所述栅氧化层上的电极材料层，所述栅极结构位于所述沟道区正上方；其中，所述沟道区包括反态掺杂区，所述反态掺杂区注入有与第一型态相反型态的反态离子，且相对于所述沟道区的中心轴对称分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821756811.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高可靠性深沟槽功率MOS器件
- 下一篇：一种低残压瞬态二极管TVS
- 同类专利
- 专利分类
