[实用新型]场效应管器件

说明书

本实用新型提出一种场效应管器件，涉及半导体生产技术领域。所述场效应管器件包括：衬底；阱区，位于所述衬底中，注入有第一型态的离子，所述阱区包含沟道区、轻掺杂区、源区与漏区；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构位于沟道区正上方；其中，沟道区包括反态掺杂区，所述反态掺杂区注入有与第一型态相反型态的反态离子，且相对于所述沟道区的中心轴对称分布。本实用新型提供的场效应管器件的沟道区包括注入有反态离子的反态掺杂区，该反态掺杂区相对于沟道区的中心轴对称分布，使得器件的导电沟道变宽，减少了电子形成热载流子的机率，从而降低器件的热载流子注入效应，使得器件的饱和电流增加，阈值电压降低，提高了器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种场效应管器件。

背景技术

集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor，MOSFET)器件工作一段时间后，器件的电学性能会逐步发生变化，例如：阈值电压(Vt)漂移，跨导(Gm)降低，饱和电流(Idsat)减小，这些变换最后将导致器件不能正常工作。研究表明，这种现象是由于热载流子注入效应(Hot CarrierInjection，HCI)导致的。

在制造动态随机存储器(DRAM)时，改善存储器外围电路中NMOSFET器件的热载流子注入效应，可以提高存储器件的可靠性。

因而，在存储器领域中，由于HCI造成的器件性能漂移的问题亟须简单有效的方法解决。

需要说明的是，在上述背景技术部分实用新型的信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种场效应管器件，至少在一定程度上克服热载流子注入效应带来的器件性能漂移问题。

本实用新型的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本实用新型的实践而习得。

根据本实用新型提供一种场效应管器件，所述器件包括：衬底；阱区，位于所述衬底中，注入有第一型态的离子，所述阱区包含沟道区、轻掺杂区、源区与漏区，所述源区和所述漏区分别位于所述沟道区两侧，所述轻掺杂区也位于所述沟道区两侧；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构包括栅氧化层和位于所述栅氧化层上的电极材料层，所述栅极结构位于所述沟道区正上方；其中，所述沟道区包括反态掺杂区，所述反态掺杂区注入有与第一型态相反型态的反态离子，且相对于所述沟道区的中心轴对称分布。

上述方案中，所述器件为N型金属氧化物场效应管器件，所述反态离子包括砷离子。

上述方案中，所述反态离子的注入剂量为1.5E12每立方厘米～1.9E12每立方厘米，所述反态离子的注入能量为30KeV～35KeV。

上述方案中，所述第一型态的离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量为1.5E13每立方厘米～3E13每立方厘米，所述硼离子的注入能量为130KeV～160KeV。

上述方案中，所述轻掺杂区不与所述反态掺杂区相连，且所述轻掺杂区注入的离子包括磷离子或砷离子。

本实用新型实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本实用新型一种示例性实施例所提供的技术方案中，场效应管器件的沟道区包括注入有反态离子的反态掺杂区，该反态掺杂区相对于沟道区的中心轴对称分布，使得器件的导电沟道变宽，减少了电子形成热载流子的机率，从而降低器件的热载流子注入效应，使得器件的饱和电流增加，阈值电压降低，提高了器件性能。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。

附图说明