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[实用新型]场效应管器件-CN201821756811.4有效
发明人：冯鹏;陈面国;蔡宗叡 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提出一种场效应管器件，涉及半导体生产技术领域。所述场效应管器件包括：衬底；阱区，位于所述衬底中，注入有第一型态的离子，所述阱区包含沟道区、轻掺杂区、源区与漏区；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构位于沟道区正上方；其中，沟道区包括反态掺杂区，所述反态掺杂区注入有与第一型态相反型态的反态离子本实用新型提供的场效应管器件的沟道区包括注入有反态离子的反态掺杂区，该反态掺杂区相对于沟道区的中心轴对称分布，使得器件的导电沟道变宽，减少了电子形成热载流子的机率，从而降低器件的热载流子注入效应，使得器件的饱和电流增加，阈值电压降低，提高了器件性能。
沟道区场效应管器件掺杂区衬底离子本实用新型中心轴对称栅极结构阱区热载流子注入效应半导体生产技术饱和电流导电沟道降低器件器件性能轻掺杂区热载流子阈值电压变宽漏区源区

[发明专利]一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构-CN201610826688.8有效
发明人：白玉明;张海涛;潘烨 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及门极可关断晶闸管技术领域，尤其是一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，包括与GTO器件电连接的场效应管S1、场效应管S2和场效应管S3，其中，场效应管S3包括多个环形排列在GTO器件外周向上的MOS开关管Ⅲ，场效应管S2包括多个环形排列在场效应管S3外周向上的MOS开关管Ⅱ，场效应管S2排列在外圈，场效应管S3排列在内圈。本发明的场效应管S2和场效应管S3环形分布于GTO器件四周，这种空间排列方式使IGTO的门极杂散电感降至2～4nH，有利于IGTO器件快速分断电流。
一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应排布结构

[发明专利]在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法-CN201110200041.1有效
发明人：苏毅;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下，提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管；传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着；包围主场效应管的电绝缘结构，使主场效应管的源极和本体区，与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处，并与传感场效应管的晶体管部分分隔开；传感场效应管源极垫通过传感场效应管探针金属，连接到传感场效应管的晶体管部分；配置绝缘结构，使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部
分立功率 mos 场效应集成传感器件方法

[发明专利]场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质-CN202211289122.8在审
发明人：庞家玉;卢意飞 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应管器件模型的生成方法、装置、设备和介质，该方法包括：确定场效应管器件的源体结反向电流和漏体结反向电流，所述源体结反向电流为所述场效应管器件的体端对源极的电流，所述漏体结反向电流为所述场效应管器件的体端对漏极的电流；根据所述源体结反向电流和漏体结反向电流，构建得到子电路模型；根据预设初始场效应管器件模型和所述子电路模型，构建得到目标场效应管器件模型。该技术方案得到的目标场效应管器件模型更加精确，能够提高技术人员电路仿真精度，从而提升电路性能。
场效应器件模型生成方法装置设备介质

[发明专利]一种MOSFET雪崩测试电路-CN201910765153.8在审
发明人：杨炜光 -专利权人：西安易恩电气科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOSFET雪崩测试电路，包括：储能电感、主电源、陪测器件Q1、电压检测装置和电流互感器，主电源的正极依次串接储能电感、被测场效应管后与主电源的负极连接，陪测器件Q1并联在被测场效应管的两端；被测场效应管为MOSFET；电流互感器连接在储能电感和被测场效应管之间；电压检测装置连接在被测场效应管的G极和S极之间；陪测器件Q1用于雪崩耐量动态与静态测试之间的切换，陪测器件Q1的额定电压远大于当前被测场效应管的电压；测试场效应管在动态下雪崩耐量，则陪测器件Q1处于反偏状态，被测场效应管处于开通状态；测试场效应管在静态下的雪崩耐量，被测场效应管处于反偏状态，陪测器件Q1处于开通状态。
场效应管储能电感雪崩耐量主电源电压检测装置电流互感器测试电路开通状态反偏雪崩正极测试负极连接静态测试依次串接

[发明专利]一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构及制作方法-CN201711446763.9有效
发明人：尚恩明;胡少坚;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构，包括：半导体衬底，上下堆叠设于所述半导体衬底上的围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管，所述围栅纳米线N型场效应管和围栅纳米线P型场效应管之间以介质层相隔离本发明可实现独立控制CMOS中的N型场效应管和P型场效应管，能有效消除短沟道效应和量子效应产生的不利影响，避免平行CMOS器件中可能存在的闩锁效应，提高器件的性能，并可明显缩小CMOS器件的面积占比。本发明还公开了一种堆叠式围栅纳米线CMOS场效应管结构的制作方法。
一种堆叠式围栅纳米 cmos 场效应结构制作方法

[发明专利]功率半导体器件导通压降的在线测量电路-CN201910395515.9在审
发明人：马柯;朱晔 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件导通压降的在线测量电路，包括第一场效应管、电阻和第二场效应管，第一场效应管的漏极与被测量的功率半导体器件连接，第一场效应管的源极与电阻的一端相连，电阻的另一端分别连接第一场效应管的栅极、第二场效应管的栅极和第二场效应管漏极，第二场效应管的源极与被测量的功率半导体器件连接，第二场效应管的漏极与源极为电路的输出端。本发明的功率半导体器件导通压降的在线测量电路结构简单、便于测量、测量精准、成本低廉，具有更广泛的应用范围。
场效应管功率半导体器件在线测量电路导通压降电阻测量漏极源极场效应管漏极测量精准输出端电路应用

[发明专利]一种单芯片集成电路-CN201510244422.8在审
发明人：周祥瑞;吴宗宪 -专利权人：无锡昕智隆电子科技有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种单芯片集成电路，包括器件本体，所述器件本体的外周包裹有终端环结构，所述器件本体的底端固定有金属电极；所述器件本体包括第一金属氧化物半导体场效应管、第二金属氧化物半导体场效应管和二极管，所述第一金属氧化物半导体场效应管置于所述第二金属氧化物半导体场效应管并列排布，所述二级管集成在所述第一金属氧化物半导体场效应管或所述第二金属氧化物半导体场效应管中，所述第一金属氧化物半导体场效应管和所述第二金属氧化物半导体场效应管均与所述金属电极连接。
一种芯片集成电路

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202311107760.8在审
发明人：任真伟;王晓 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，同一半导体器件上集成有并联设置且共用源极沟槽结构的结型场效应管和金属氧化物场效应管，能对结型场效应管和金属氧化物场效应管进行同步开关控制，利用结型场效应管的沟道关闭能力比金属氧化物场效应管的沟道关闭能力弱的原理，在同步关闭结型场效应管和金属氧化物场效应管时，使得浪涌电流优先通过结型场效应管的导电沟道，解决了金属氧化物场效应管在反向浪涌状态下的电流泄放问题，能避免反向浪涌电流引起的金属氧化物场效应管的雪崩发热现象和雪崩位错现象，改善了抗浪涌能力，提升了可靠性；同时，对应制作方法与沟槽型金属氧化物场效应管的制作工艺兼容，工艺流程简单，成本低。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法-CN202111414564.6在审
发明人：罗杰 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种共享栅极的垂直二维互补场效应管器件及其制造方法，器件包括：基片包括凸起部；场效应管单元，在垂直于基片的竖直方向上设置在凸起部上，每个场效应管单元与凸起部一一对应设置，场效应管单元包括P型场效应管子单元和N型场效应管子单元，N型场效应管子单元与P型场效应管子单元存在共享栅极。方法包括：在基片上加工凸起部和垂直于基片的多个场效应管子单元雏形，场效应管子单元雏形的两端设有骨架连接，对场效应管子单元雏形的上段和下段分别进行N型和P型掺杂处理；进行蚀刻露出场效应管子单元雏形的上段，上段设置氮氧化硅层，上段和下段连接处生长跟基片材料相同的场效应管子单元间连接，然后进行后处理工艺。
共享栅极垂直二维互补场效应器件及其制造方法

[发明专利]一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置-CN202210360697.8在审
发明人：张芯瑞;陈岚;刘宏伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本申请提供一种碳纳米管场效应管器件的建模方法及建模装置，建立碳纳米管场效应管器件的等效电路模型；等效电路模型包括多个电学元件；根据碳纳米管场效应管器件的物理结构参数，通过量子散射仿真系统对碳纳米管场效应管器件进行仿真可见，利用量子散射仿真系统对碳纳米管场效应管器件进行仿真，以得到体现电学特性的仿真数据，根据物理模拟仿真数据对等效电路模型中的电学元件进行优化，使得等效电路模型与碳纳米管场效应管器件的电学特性更加匹配，
一种纳米场效应器件建模方法装置

[发明专利]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201510756113.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，所述增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，所述耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201520890627.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]发动机启动电机电子继电器-CN201220161772.X有效
发明人：范可牛 -专利权人：重庆帕特龙智通电子科技有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：解决现有技术发动机启动电机继电器存在的浪费电源、容易产生打弧、触头烧毁或粘接等问题，本实用新型发动机启动电机电子继电器采用场效应管作为启动电源接通或断开的控制器件，采用场效应管栅极控制电路作为启动电源接通或断开的控制电路，所述场效应管包括N沟场效应管和P沟场效应管，其中：采用N沟场效应管作为启动电源接通或断开的控制器件时，采用自举电路作为场效应管栅极的控制电路；采用P沟场效应管作为启动电源接通或断开的控制器件时，采用偏置电路作为场效应管栅极的控制电路
发动机启动电机电子继电器

[发明专利]一种解决关机漏电的开关电路及终端设备-CN201611033232.2在审
发明人：李新;倪漫利;王晨 -专利权人：深圳天珑无线科技有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H02J9/00 文献下载
摘要：其中，开关电路至少包括第一场效应管及第二场效应管；第一场效应管的控制端耦接来自功耗器件的控制信号及第二场效应管的第二连接端，第一场效应管的第一连接端耦接电池，第一场效应管的第二连接端耦接功耗器件；第二场效应管的控制端耦接开关和电池，第二场效应管的第一连接端耦接电池；其中，第一场效应管及第二场效应管的第一连接端与第二连接端之间串联有至少两个二极管，二极管中的至少两个背靠背连接，二极管中的一个为第一场效应管的寄生体二极管。通过上述电路，当系统关机时，第一场效应管及第二场效应管均处于关闭状态，电池与功耗器件之间不导通，解决系统关机时漏电的问题。
一种解决关机漏电开关电路终端设备

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